半导体器件基础3精选.ppt

半导体概要 载流子模型 载流子输运 pn结的静电特性 pn结二极管：I-V特性 pn结二极管：小信号导纳 pn结二极管：瞬态特性 BJT的基础知识 BJT静态特性 BJT动态响应模型 JFET和 MESFET简介 MOS结构基础 MOSFET器件基础 基本概念 Junction Field Emission Transistor(JFET) 20世纪20~30年代发明 Non-linear voltage-controlled resistor Use of “drain” and “source” for output loop “gate” and “source” for input loop Use reverse-biased P-N juntion to control cross-section of device Total resistance depends on voltage applied to the gate JFET的结构 JFET的工作原理 栅电压控制耗尽区宽度 特性 MESFET 肖特基接触形成栅 JFET、MESFET和BJT的区别 MESFET与JFET原理相同，不同点是MESFET中的栅结为肖特基结。 FET的电流传输主要由多数载流子承担，不出现少数载流子存储效应。有利于达到较高的截止额率和较快的开关速度。 FET是电压控制器件，BJT是