半导体器件原理精选.doc

 目 录 摘 要 ……………………………………………………… 1 pn结 ………………………………………………………… 1 1pn结的平衡状态 ………………………………………………………… 1 2pn结的直流电流电压方程 ………………………………………………………… 23准费米能级与大注入效应 ………………………………………………………… 64pn结的击穿 ………………………………………………………… 8 5pn结的势垒电容与扩散电容 ………………………………………………………… 9  PN节 [摘要] 在一块N型（或P型）半导体单晶衬底上，用合金法、扩散法、外延法或离子注入法等掺入P型（或N型）杂质，这时，单晶片内既存在N型区也存在P型区，在P型与N型的交界面处便形成PN结。PN结具有单向导电性，是电子技术中许多器件所利用的特性，例如半导体二极管、双极性晶体管的物质基础 [关键词] 半导体器件，杂质，基本单元 一．pn结的平衡状态 平衡状态：PN 结内部的温度均匀稳定，不存在外加电压、光照、磁场、辐射等外作用。 载流子的转移： p型半导体和n型半导体需要考虑的两个不同点即为： ①功函数W不同； p