L14-光电材料复习.ppt

* * 电子从高能级向低能级跃迁时，如果跃迁过程伴随放出光子，这种跃迁称为辐射跃迁(复合) 。不发射光子的称为无辐射跃迁(复合) 。 §4 固体的光学性质与固体中的光电现象 辐射跃迁(复合) 光电材料产生光子发射的主要条件是系统必须处于非平衡状态。 * * 本征跃迁 导带的电子跃迁到价带，与价带空穴相复合，伴随着发射光子，称为本征跃迁。它是本征吸收的逆过程。 ①直接带隙半导体 ②间接带隙半导体 §4 固体的光学性质与固体中的光电现象 * * ①直接带隙半导体 本征跃迁为直接跃迁。由于直接跃迁的发光过程只涉及一个电子–空穴对和一个光子，其辐射效率较高。 直接带隙半导体是常用的发光材料。 发射光子的能量： §4 固体的光学性质与固体中的光电现象 * * ②间接带隙半导体： 本征跃迁为间接跃迁。在间接跃迁过程中，除了发射光子外，还有声子参与。因此，这种跃迁比直接跃迁的几率小得多。 硅、锗都是间接带隙半导体，他们的发光比较微弱。 发射光子的能量： §4 固体的光学性质与固体中的光电现象 * * 非本征跃迁 电子从导带跃迁到杂质能级，或杂质能级上的电子跃迁入价带，或电子在杂质能级之间的跃迁，都可以引起发光。这种跃迁称为非本征跃迁。对间接带隙半导体，本征跃迁是间接跃迁，几率很小。这时，非本征跃迁起主要作用。 §4 固体的光学性质与固体中的光电现象 1.激子辐射复合 2.能带与杂质能级之间的辐射跃迁 3.施主与受主间的辐射跃迁 * * 电子和空穴复合时，也可以将能量转变为晶格振动能量，这就是伴随着发射声子的无辐射复合过程。 发光过程中同时存在辐射复合和无辐射复合。发光效率取决于非平衡载流子的辐射复合寿命 和无辐射复合寿命 的相对大小。 §4 固体的光学性质与固体中的光电现象 半导体的无辐射复合： 不伴随有发射光子的电子跃迁过程 * * (1) 俄歇复合 有三个载流子(两个电子和一个空穴或两个空穴和一个电子)参与的跃迁过程。如一个电子和一个空穴相复合时，所释放出来的能量与动量交给第三个载流子，它可以通过发射声子将此能量耗散，或者引起其它效应。 §4 固体的光学性质与固体中的光电现象 * * (2) 表面复合 由于表面态的存在而引起的表面处发生的无辐射复合。 1)表面态一般存在于禁带之中 2)表面态具有俘获载流子的本领(陷阱) 3)表面态形成的陷阱可转化为复合中心 §4 固体的光学性质与固体中的光电现象 * * (3) 通过缺陷或掺杂物的复合 如果半导体内部含有的局部缺陷及微小掺杂物建立起连续或准连续的能级谱，则可能发生与表面能级似的内表面复合。 (4) 多声子复合 受激电子在复合跃迁时释放出的能量通常比声子的能量要大得多，因此需要以较高的几率发射出一定数目的声子。这个无辐射复合过程称为多声子复合。 §4 固体的光学性质与固体中的光电现象 * * §4 固体的光学性质与固体中的光电现象 异质结是指由两种不同半导体材料构成的p-n结。为了提高少数载流子的注入效率，可采用异质结。 当加正向偏压时，势垒降低。但由于p区和n区的禁带宽度不等，势垒是不对称的。 异质结注入发光 * * §4 固体的光学性质与固体中的光电现象 p区：禁带较宽的区域 当两者的价带达到等高时 p区的空穴由于不存在势垒，所以p区成为注入源。 * * §4 固体的光学性质与固体中的光电现象 发光区发出的光子hv＜Eg2，所以在禁带宽度大的p区（注入区）不会引起本征吸收。即禁带宽度较大的p区对这些光子是透明的。 因此，异质结发光二极管中禁带较宽的部分（注入区）同时可以作为辐射光的透出窗。 * * §4 固体的光学性质与固体中的光电现象 半导体激光 激光的特性：方向性好、单色性好、相干性好、能量密度大。 激光的发射，必须满足三个基本条件： 形成分布反转，使受激辐射占优势； 具有共振腔，以实现光量子放大； 至少达到阈值电流密度，使增益至少等于损耗。 * * §5 半导体光电材料 硅和锗元素半导体 * * §5 半导体光电材料 * * §5 半导体光电材料 重空穴带：价带中开口较大的空穴带，其中空穴的有效质量较大 轻空穴带：价带中开口较小的空穴带，其中空穴的有效质量较小 * * §5 半导体光电材料  用两种禁带宽度不同的材料A和B构成两个距离很近的背靠背异质结B/A/B…，若材料A是窄带半导体，且其导带底低于材料B的导带底，当其厚度小于电子平均自由程时，电子被约束在材料A中，形成以材料B为电子势垒、材料A为电子势阱的量子阱。