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第四章 TTL电路  ③电路平均静态功耗 可见二管TTL门平均静态功耗与R1，R2有关，R1，R2增大，可降低功耗，但电路速度减慢。 是指在一定的输入电压Vi作用下，输出电压VO随时间的变化关系。原则上讲，利用晶体管的瞬态模型，画出简易TTL与非门的等效电路，利用计算机作定量分析，是可计算出其瞬态特性的，但计算过于复杂。下面我们只作简单的定性分析。 4、 瞬态特性 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. ① 延迟时间td,它是从输入电压Vi开始上跳到输出电压VO开始下降所需要的时间，也就是从Vi上跳到T2开始导通所需的时间。因为只有T2导通，VO才开始下降，分析td的电路如图。 为了分析简单起见，假设输入是理想的方波，其输出输入波形如图： Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. Vi上跳前，电路截止，T1深饱和，T2截止,节点电压VB1=VOL+ Vbes =1V, VB2=VOL+Vces1=0.4V。Vi上跳，T1管由正向饱和转向反向工作，电路开始经历延迟阶段，当t=t1时，T2由截止变为导通，输出电平VO开始下降，延迟阶段结速。要使T2导通，节点B1必须由1V提高到1.4V，节点B2必须由0.4V提高到0.7V，电路延迟时间就是B1和B2有关电容充放电所需要的时间。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 与节点B1有关的电容有（N-1）CEB，CEA，CR1。 CEB一端接VOH电压固定，另一端接B1，VB1由1V到1.4V，?VB1=0.4V，电容充电，充电量： CEA两端电压由to时刻的正偏0.7V,变化到t1时刻的反偏-1.6V（ VOH =3V）, 电容放电,放电量： 必须注意，CEA正偏时 R1一端接电源,属短路扩散电阻,其CR1两端电压由t0时刻反偏压-4V变化到t1时刻的-3.6V, ?VB1=0.4V电容充电, 充电量 : Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 与节点B2有关的电容有CS1，CE2，CC2，其充电幅度相同，?VB2=0.3V，充电量: CC1两端电压不变，故不考虑。 充电电流由IR1提供，由于VB1 的变化，故取线性平均值： 由 得 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. IR1取其平均值，上式从零积分到td,则 可见，缩短td的办法是: ①减小电容的面积； ②减小R1以增大充电电流但这与改善IIL相矛盾。 td的估算 CEB=0.47pF、 CEA(正) =2.25pF、CEA(反) =0.63pF、CS1 =4.92pF、 CR1=0.45pF 、 CE2=2.25pF、CC2=0.62pF 取N=4，VOH=3V 由上式可算得： td=0.52ns Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 在输出电压下降过程中，节点B1，B2的电位变化很小，可近似把T1看作恒流源，它向T2提供基极驱动电流IB2，促使T2由导通变到饱和，因而，输出下降过程可看作T2集电极下降过程来考虑。但不能简单套用T2下降公式，因为T2集电极不是简单的电阻负载，而是有输出电容(CA=CS2+CR2+CL)的影响。由晶体管原理的电荷控制方程: 是输出电压从高电平下降到低电平所需要的时间，即T2开始导通到T2