HDPCVD技术应用与设备维护要素.docVIP

毕业设计论文 HDPCVD技术应用与设备维护 系 电子信息工程系 专业 微电子 姓名 曹海峰 班级 微电113 学号____ 28_____ 指导教师 徐振邦 职称 讲师 指导教师 职称 设计时间 2012.9.15－2013.1.4 摘要 HDPCVD工艺自问世以来凭借其独特的在高密度等离子体反应腔中同步淀积和刻蚀绝缘介质的反应过程实现了在较低温度下对高深宽比间隔的优良填充, 其所淀积的绝缘介质膜具有高密度、低杂质缺陷等优点, 同时对硅片有优良的粘附能力, 这些优势使 HDPCVD 工艺迅速取代其他传统工艺而一举成为先进半导体制程中对超细间隔进行绝缘介质填充的首选。 本课程设计主要以介电质化学气相淀积工艺为基础，以高密度等离子体（HDPCVD）为研究对象，从高密度等离子体的工艺原理、在半导体制造中的工艺应用、以及设备构成和维护等多方面进行了详细描述。 关键词：高密度等离子体，化学气相淀积，半导体制造，填充目录 摘要 2 目录 3 第1章 绪 论 4 1.1 引言 4 1.2 DCVD工艺的分类 4 第2章 HDPCV