模电第02讲半导体基础知识及PN节的形成课件.pptVIP

* 3.1 半导体的基本知识 3.3 二极管 3.4 二极管的基本电路及其分析方法 3.5 特殊二极管 3.2 PN结的形成及特性 第02讲 1.理论部分讲授采用多媒体教学； 2.实物展示。 教学方式 2 建议学时 作业 理解P型和N型半导体； 掌握PN结的单向导电性； 了解半导体共价键结构，载流子的产生和复合，半导体 的温度特性；PN结的反向击穿； 知识重难点 3.1 半导体的基本知识 3.2 PN结的形成及特性 教学内容 半导体二极管图片 项目引入 3.1 半导体的基本知识 3.1.1 半导体材料 3.1.2 半导体的共价键结构 3.1.3 本征半导体、空穴及其导电作用 3.1.4 杂质半导体 一. 导体、半导体和绝缘体 1.导体:容易导电的物质，金属一般都是导体。 2.绝缘体:不导电的物质,如橡皮、陶瓷、塑料和石英。 3.半导体 (1)导电特性处于导体和绝缘体之间，如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。 (2)当受外界热和光的作用时，它的导电能力明显变化。称热敏特性和光敏特性。 (3)往纯净的半导体中掺入某些杂质(其它化学元素)，会使它的导电能力明显改变。称掺杂性。 半导体为什么有此性质呢？ 硅原子(14) 锗原子(32) 硅和锗最外层轨道上的四个电子称为价电子。 二. 本征半导体 ——完全纯净的、具有晶体结构的半导体。 制造半导体器件的半导体材料的纯度要达到99.9999999%，常称为“九个9”。 典型的半导体是硅Si和锗Ge，它们都是4价元素。 1.形成共价键结构，导电能力较弱,接近绝缘体。 2.光照或受热激发价电子成为自由电子，导电能力增强。这一现象称为本征激发或热激发。 三. 本征半导体的共价键结构 可见：本征激发同时产生电子空穴对。 硅原子 自由电子 空穴 自由电子带负电，空穴带正电，都是可以移动的粒子。 +4 +4 +4 +4 光照或受热激发使半导体导电能力增强的现象称为本征激发或热激发。 可见：本征激发同时产生电子空穴对。 自由电子——带负电的粒子 空穴——带正电的粒子 自由电子、空穴统称为载流子。 四. 杂质半导体 在本征半导体中掺入某些微量的杂质，就会使半导体的导电性能发生显著变化。 为何呢？ 1、N 型半导体 在硅或锗晶体中掺入少量的五价元素磷(或锑)。 +4 +4 +5 +4 多余电子 自由电子 磷原子 硅原子 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + 整块N 型半导体示意图 · 。 可见： a 、N 型半导体中自由电子很多(多数载流子)，空穴很少(少数载流子) ； b 、导电性能显著增加。 施主离子 空穴 硼原子 硅原子 2、P 型半导体 在硅或锗晶体中掺入少量的三价元素，如硼(或铟)。 +4 +4 +3 +4 － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － 整块P 型半导体示意图 。 · 可见： a 、P 型半导体中自由电子很少(少子)，空穴很多(多子)； b 、导电性能显著增加。 受主离子 a b c 1. 在杂质半导体中多子的数量与 （a. 掺杂浓度、b.温度）有关。 2. 在杂质半导体中少子的数量与 （a. 掺杂浓度、b.温度）有关。 3. 当温度升高时，少子的数量 （a. 减少、b. 不变、c. 增多）。 4. 在外加电压的作用下，P 型半导体中的电流 主要是 ，N 型半导体中的电流主要是 。 （a. 电子电流、b.空穴电流） b a 5.在本征半导体中加入 元素可形成N型半导体，加入 元素可形成P型半导体。 a. 五价 b. 四价 c. 三价 综述与问题 N 型半导体特点: 自由电子很多,空穴很少； 整块N 型半导体示意图: + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + P 型半导体特点: 自由电子很少,空穴很多； 整块N 型半导体示意图: － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － 若将上述二者结合在一起，会如何？ 3.2 PN结的形成及特性 3.2.2 PN结的形成 3.2.3 PN结的单向导电性 3.2.4 PN结的反向击穿 3.2.5 PN结的电容效应 3.2.1 载流子的漂移与扩散 一. 载流子的漂移与扩散 漂移运动： 由