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瑋 群 (光 電 )事 業 部 LED基礎知識教程 三、LED制程工藝介紹 6.化學（或蝕刻）：去除黃光制程中未保護的部分，形成所需圖案。　 7.熔合：使蒸鍍過程中蒸鍍的多層金屬分子間更緊密結合，減少接觸電阻。 三、LED制程工藝介紹 8.研磨：減小基板厚度，降低晶粒電阻，同時以利切割。有研磨法與切削法兩種。 9.切割：將晶片切割為要求之晶粒。常用輪刀式，鑽石式與激光式三種方法。 10.測試：挑選出各種波長之晶粒，剔除不合格之產品。另有目檢流程，以保證銷售晶粒之品質。 四、LED制程配套工程注意事項 1.磊晶區 a.MOCVD機台 排氣較大　以有機廢氣為主，風管室內鍍鋅螺旋管、室外　SUS304材質，防銹，排氣風速約8米以上 冷卻水　溫度18~20℃±0.5，壓力約5KG，管徑約為1” 特氣管　數量較多 b.Local SCR 處理MOCVD產生之有毒氣體 冷卻水　，管徑約為6分 排氣　酸鹼　PP管（SCH80）　3寸 排水管、純水管 四、LED制程配套工程注意事項 c.特氣櫃 酸鹼排氣，PP管 有機排氣　SUS或鍍鋅，易燃易爆 特氣管　電子級，配至室內相應位置（類似電盤形式） 室外　N2　儲氣罐 d.隔間 控制室盡可能開多窗戶，使人坐著可以看到MOCVD與LOCAL　SCR，窗戶不宜過高 氫氣純化室隔間需至房頂，並設排氣，以防氫氣洩漏 業主機台可能多期進駐，隔間需留活動牆 四、L