位错理论简介及答案.ppt

* 2）割阶高度很大，约在20nm以上，此时割阶两端位错相隔太远，相互间作用小，均可独立在各自滑移面上滑移，并以割阶为轴，在滑移面上旋转（见图b）， 这实际也是在晶体中产生位错的一种方式； 带割阶的螺型位错的滑移过程 （a）短割阶； （b）长割阶；（c）中割阶 * 3）割阶高度在上述两种之间，位错不能拖着割阶运动。 在外力作用下，割阶间位错线弯曲，位错前进就会在其身后留下一对拉长了的异号刃位错线段（位错偶）（见图c）。 带割阶的螺型位错的滑移过程 （a）短割阶； （b）长割阶；（c）中割阶 * 为降低应变能，此位错偶常会断开而留下一个长位错环， 而位错线仍回复原来带割阶的状态，而长的位错环又常会再进一步分裂成小的位错环，这是形成位错环的机理之一。 * 位错的生成与增殖 位错来源可有几个方面： 1）凝固时在晶体长大相遇处，因位向略有差别而形成； 2）因熔体中杂质原子在凝固过程中不均匀分布使晶体的先后凝固部分成分不同，从而点阵常数也有差异，而在过渡区出现位错； 3）流动液体冲击、冷却时局部应力集中导致位错的萌生。 4）晶体裂纹尖端、沉淀物或夹杂物界面、表面损伤处等都易产生应力集中，这些应力也促使位错的形成。 * 5）过饱和空位的聚集成片也是位错的重要来源。 * 位错的增殖 塑性变形时，有大量位错滑出晶体，所以变形以后晶体中的位错数目应当减少。 但实际上，位错密度随着变