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辐射跃迁：处于激发态的电子向较低的能级跃迁，同时发射 光子的过程。 半导体处于非平衡状态，通过一些外加的激发手段达到。 电致发光：电流激发。 阴极射线发光：电子束激发。 光致发光：光激发，入射光子能量要大于材料禁带宽度。 发光波长与能量的关系： λ=c/v=hc/E=1240/E（nm），E单位为电子伏特（eV） 带-带跃迁：导带的电子跃迁到价带，与空穴复合。 自由载流子复合。 F(hv )∝( hv )2（hv-Eg）1/2 exp[-(hv-Eg)/K0T ] 特征：发光峰在Eg附近。发光峰具有一个高能量尾部在hv=Eg处，低能量边缘突然截止。在低激发情况，发射峰的半峰宽近似等于0.7kT。随掺杂浓度增加，发光峰位置和高能边缘均向高能量方向移动。增加激发强度也可导致发光向高能方移动。自吸收导致实验观测的发光光谱向低能方向漂移。 300K时，KT约26meV。77K时，KT约6.6meV。 自由激子发光：自由激子 中的电子和空穴复合发光 自由激子：自由电子和自由空穴由与库仑力作用而束缚在一起所形成的系统，可在晶体中运动。 发光峰能量：hv=Eg-Eex ，Eex为自由激子束缚能 为电子和空穴的折合质量。n=1，2 特征：发光峰能量略低于Eg，发光峰尖锐，半峰宽在几个meV 以内，一般在低温下才可观察到。 自由激子的声子伴线：自由激子在复合时，发射了一个或多 个声子，同时发出的光子。 发光峰能量：hv=Eg-Eex-mEp 特征：发光峰一般伴随自由激子峰出现。其与自由激子的能量差 为声子能量。出现多声子伴线时，发射峰之间的能量差相等。 横向光学声子（TO），横向声学声子（TA），纵向光学声子 （LO），纵向声学声子（LA）一般最易观察到纵向光学声子（LO声子）伴线。 束缚激子发光：束缚激子 中的电子和空穴复合发光 束缚激子：束缚在杂质或缺陷上的激子，不能在晶体中自由运动。 激子可束缚在中性施主，中性受主，电离施主，电离受主上。 中性施主束缚激子：D0X 电离施主束缚激子：D+X 中性受主束缚激子：A0X 电离受主束缚激子：A+X 发光峰能量：hv= Eg-Ex-Eb 束缚能：Ex+Eb 其中，Ex为自由激子束缚能，Eb是将自由激子 束缚到杂质中心的附加能。 1、光吸收：光子将电子由低能态激发到更高能态的过程。 I=I0exp（-αd）, d:光穿过半导体材料的距离， α：吸收系数 对于直接带隙半导体： α：104—105/cm 2、本征吸收：价带电子吸收能量跃迁到导带的过程。 吸收条件：hv≥Eg 特点：在10-100meV的能量范围内α下降3-4个数量级。直接带隙半导体的吸收系数与光子能量的关系为： α（hv）=A（hv-Eg）1/2，hv ≥Eg =0 ，hv＜Eg 禁带宽度的判断： α2=A2（hv-Eg） 实际情况：低能方向的吸收系数并不按理论预期下降，存在吸收带尾，一般是指数下降，与材料的杂质和缺陷，生长质量，声子参与有关。（1）声子参与，（2）莫脱效应：施主间的平均距离：r=（1/ND）1/3 ，当r小于2a*，施主电子云交叠。 高掺杂杂的情况下，吸收边向高能方向移动。 3、激子吸收 吸收峰能量：hv=Eg-Eex ，Eex为自由激子束缚能 特点：在半导体吸收边的低能侧附近具有一些窄吸收峰，在低温时出现的可能性大。一般只在较纯的样品中才了观察到，理论上，当自由电子浓度大于5×10-2a*-3时，激子波函数相互交叠，分立的激子态不在存在。a*：激子的等效玻尔半径,一般在100埃数量级。 4、杂质吸收： 两类吸收：（1）施主到导带，价带到受主；（2）价带到 施主，受主到导带。 特点：（1）施主到导带，价带到受主，吸收限为杂质电离 能，在红外区。 （2）价带到施主，受主到导带，吸收在Eg-ΔEi，