下变频混频器 - 1.ppt

东?南?大?学 射?频?与?光?电?集?成?电?路?研?究?所 * * 指导老师：李智群教授 报告人： 刘东海 Institute of RF- OE-ICs 深亚微米器件建模与IP核研究项目 第二次汇报 1 CMOS下变频混频器分析与设计 窄带下变频混频器设计指标 设计指标 指标要求 所用工艺 CSMC 0.18um RF CMOS 电源电压 1.8V 工作频率 2.4~2.4835GHz 输入1dB压缩点 -13dBm 转换增益 5dB 隔离度 -30dB 噪声系数 13dB 工作电流 1mA 1.1吉尔伯特混频器 图1-1-1 吉尔伯特混频器电路图 器件 型号 NMOS mn18_rf 电阻 rhr_rf 电容 cmim 1. 尾电流设计 为满足工作电流1mA，选择NMOS管宽长比W/L为80um/180nm,偏置电压为0.52V,仿真得工作电流为834.8uA。 2. 增益部分的设计 保证MOS管工作在饱和区，混频器的增益和管子的跨导相关，因此，更高的过驱动电压意味着更高的电压增益。同样，把MOS管栅极的宽度W增大，栅极的长度L减小也能得到更大的混频增益。选择NMOS管宽长比W/L为70um