传感器58章光电式2教程.pptVIP

传感器技术及应用机械09 20101～2012第二学期 2012年3月 二、 光生伏特效应及其器件 （一）光生伏特效应 在光线作用下能够使物体产生一定方向的电动势的现象叫做光生伏特效应。 基于该效应的光电器件有光电池、光敏二极管、三极管。 产生这种光电动势的机理有好几种，主要的一种是由于阻挡层的存在。称为势垒效应或结光电效应。 以下以P-N结为例说明。 【n型半导体】“n”表示负电的意思，在这类半导体中主要靠电子导电， 叫做电子半导体，简称n型半导体。 【p型半导体】“p”表示正电的意思。这种半导体内主要靠空穴导电 ，所以叫做空穴半导体，简称p型半导体。 【p-n结 结电场】 由于两区多子的扩散运动，在p-n结的界面两侧产生不能移动的离子区； p型区一边带负电荷的离子，n型区一边带正电荷的离子，在结中形成很强的局部电场； 此电场对两区多子的扩散有抵制作用，而对少子的漂移有帮助作用，当扩散流等于漂移流时达到平衡，在界面两侧建立起稳定的内建电场（结电场）。 【P-N结光电效应】 P、N材料产生的多子，都被势垒阻挡而不能过结。少子能在结电场作用下漂移过结。导致多子在各自的边界积累， 它们产生一个光生电场，其方向由P区指向N区。 （二）基于结光电效应的器件 1、光电池 光电池是利用光生伏特效应把光直接转变成电能的器件。又称为太阳能电池。 是发电式有源元件。 光电池命名方式：把半导体