《MOS电容器工作原理.ppt

CCD曝光时，产生光生电荷，光生电荷在势阱里收集。随着电荷的增加，电势将逐渐变低，势阱被逐渐填满，不再能收集电荷，达到饱和。 势阱能容纳的最多电荷称为满阱电荷数。 n p 电势 最大电势区 电荷的收集 MOS 电容器 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 实际的埋沟结构 埋沟结构的两边各有一个比较厚(~0.5-1.5μm)的场氧化物区。该区与高掺杂的 p-型硅一起形成形成沟阻，该区的静电势对栅极的电压和电压变化不敏感，始终保持形成势垒。 电荷的收集 MOS 电容器 栅极 N型埋沟 场氧化物 沟阻 P型衬底 耗尽区 信号电荷 氧化物 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 埋沟结构的MOS电容的主要特点是： 能在单一电极之下的一个局部区域内产生势阱； 能调整或控制栅极下面的势能； 储存电荷的位置 (势能最小处)离 Si- Si02 交界面有一定的距离； 低的暗电流使其能够长时间的储存信号电荷 (取决于工作条件可以从数十秒到数小时)； 所收集的电荷可以通过光照、电注入等产生； 能快速地将电荷从一个电极之下的一个位置转移到下一个邻近的电极下面，而且损失非常低。 电荷的收集 MOS 电容器 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 像元边界 电荷包 p-型硅 n-型硅 SiO2 绝缘层 电极结构 像元边界 入射的光子 光子入射到CCD中产生电子空穴对， 电子向器件中电势最高的地区聚集，并在那里形成电荷包。每个电荷包对应一个像元。 电荷的收集 电荷收集的效率与电势的分布、复合寿命和扩散长度有关。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 电荷的收集 复合寿命 由光子激发出的电子在重新跃迁回价带(与空穴复合)之前可以在硅晶格内活动的时间是有限的。这个过程的时间常数称为复合寿命，其大小取决于硅的质量和掺杂的浓度。越长，信号电子被收集的可能性就越大，量子效率就越高。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 电荷的收集 扩散长度 为了使CCD中电子能够通过扩散和漂移到达指定的收集区，可以通过特定的掺杂分布和电场分布设计来达到。这种设计的结果将提高探测器的量子效率。 扩散长度表示光生电子复合前移动的平均距离。当电子是在复合寿命很长的区域内生成，但是它必须移动到指定的收集区去时，这个电子是否能够被收集取决于它向制定区域运动的机制。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 电荷的转移 CCD工作过程的第三步是电荷包的转移，是将所收集起来的电荷包从一个像元转移到下一个像元，直到全部电荷包输出完成的过程。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 下面通过类比说明 CCD 收集、转移和测量电荷的过程。 小盆 虹吸泵 雨水量筒 CCD的工作过程类比说明 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 每个小盆接到的 雨水数量不同 类比中，雨滴表示光子； 收集的雨水表示