半导体物理学-chap4.ppt

硅电阻率与温度关系示意图 AB段：温度很低，本征激发可忽略，载流子由杂质电离提供，散射主要由电离杂质决定，迁移率随温度升高而增大； BC段：温度升高，杂质已全部电离，本征激发不显著，载流子不随温度变化，晶格振动散射为主要散射，迁移率随温度升高而降低； C段：本征激发，载流子大量增加远远超过迁移率减小对电阻率的影响。 第四章 半导体的导电性Electrical conduction of semiconductors 杨少林 重点： ? 迁移率(Mobility) ? 散射(Scattering mechanisms) ——影响迁移率的本质因素 ? 弱电场下电导率的统计理论 The drift motion of Carrier, Mobility §4.1 载流子的漂移运动 迁移率The drift motion of Carrier, Mobility 漂移运动 扩散运动 迁移率 重 点 The drift motion of Carrier, Mobility The drift motion of Carrier, Mobility 4.1.1欧姆定律 4.1.2 漂移速率和迁移率 表征了在单位电场下载流子的平均漂移速度。 它是表示半导体电迁移能力的重要参数。 迁移率 The drift