模拟电子技术教学课件作者第3版胡宴如电子教案ch23课件.pptVIP

2.3场效应管及其基本应用 引　言 2.2.2 结型场效应管 2.2.3 场效应管的主要参数 2.2.1 MOS 场效应管 第 2 章　半导体三极管及其基本应用 引 言 场效应管 FET (Field Effect Transistor) 类型： 结型 JFET (Junction Field Effect Transistor) 金属-氧化物-半导体场效应管（简称MOSFET，即Metal-Oxide-Semiconductor type Field Effect Transistor) 特点： 1. 单极性器件(一种载流子导电) 3. 工艺简单、易集成、功耗小、体积小、成本低 2. 输入电阻高(107 ? 1015 ?，MOS 可高达 1015 ?) 第 2 章　半导体三极管及其基本应用 一、增强型 N 沟道 MOSFET (Mental Oxide Semi— FET) 2.3.1 MOS 场效应管 1. 结构与符号 P 型衬底 (掺杂浓度低) N+ N+ 用扩散的方法 制作两个 N 区 在硅片表面生一层薄 SiO2 绝缘层 S D 用金属铝引出 源极 S 和漏极 D G 在绝缘层上喷金属铝引出栅极 G B 耗尽层 S — 源极 Source G — 栅极 Gate D — 漏极 Drain S G D B