模拟电子技术教学课件作者第2版王连英第1章课件.ppt

动画演示 N沟道耗尽型MOS场效应管 动画演示 1.8.2 N沟道增强型MOS场效应管 N沟道增强型MOS场效应管结构示意图 P沟道增强型 N沟道增强型 1.8.2 N沟道增强型MOS场效应管 N沟道增强型场效应管不存在原始导电沟道。只是当加上足够大的正向vGS后，才会形成导电沟道，连通源区和漏区，这时若加上正向vDS，就会产生漏极电流iD。开始形成导电沟道的vGS，记作VGS（th），称为开启电压。ID0是vGS＝2 VGS（th）时的iD。 vGS＞VGS（th）后，vDS较小时，iD随vDS成线性增加，vGS越大，iD随vDS增加的速率越高；当vDS＝vGS－VGS（th） 时，导电沟道产生预夹断，进入放大区，iD不再随vDS增加而趋于饱和，iD由vGS控制，iD可近似地表示为 ，（vDS≥vGS－VGS（th），vGS≥VGS（th）） 1.8.2 N沟道增强型MOS场效应管 转移特性曲线 输出特性曲线 某N沟道增强型MOS场效应管特性曲线 增强型MOSFET工作原理 动画演示 动画演示 增强型MOSFET结构 动画演示 1.8.3 结型场效应管（JFET） N沟道结型 P沟道结型 N沟道结型场效应管结构示意图 1.8.3 结型场效应管（JFET） N沟道结型场效应管工作时常接成共源电路。为了控制iD，两个PN结均需接入反偏电压，使vGS＜0。 随着反偏电压增大，导电沟道变窄，沟道电阻增大，在vDS一定的情况下，iD减小。 当反偏电压vGS增大到一定值时， 导电沟道被夹断，此时的vGS称为夹断电压，记作VGS（off）。 vGS≤ VGS（off） 1.8.3 结型场效应管（JFET） N沟道结型场效应管转移特性 N沟道结型场效应管输出特性 （vDS＞vGS－VGS（off），VGS（off）＜vGS≤0） 式中，IDSS为vGS＝0时的iD，称为漏极饱和电流。 在放大区内，iD与vGS的关系可近似地表示为 JFET结构 动画演示 JFET原理 动画演示 动画演示 1.8.4 场效应管的主要参数 1. 直流参数 （1）夹断电压VGS（off）和开启电压VGS（th） 当vDS等于某一固定值（例如10V），使iD等于某一微小电流（例如耗尽型MOS场效应管为20μA，增强型MOS场效应管为50μA）时的vGS称为夹断电压VGS（off）(耗尽型和结型)或开启电压VGS（th）（增强型）。 （2） 饱和漏极电流IDSS 放大区，耗尽型和结型场效应管在vGS＝0时的漏极电流iD。 （3）直流输入电阻RGS 漏源间短路、栅源间加一定电压时，栅源间的直流电阻。一般MOS场效应管的RGS可达109~1015?。 1.8.4 场效应管的主要参数 2. 交流参数 （2）输出电阻rds vGS为定值时，vDS的微小变量与iD的微小变量之比，即 （3）极间电容Cgs、Cgd 栅源电容 Cgs约为1~3pF；栅漏电容 Cgd约为0.1~1pF。 （1）低频跨导gm vDS为定值时，漏极电流的微小变量与引起这个变化的栅源电压的微小变量之比，即 。 1.8.4 场效应管的主要参数 3. 极限参数 （1）最大漏极电流IDM 正常工作时允许的最大漏极电流。 （2）最大耗散功率PDM 允许耗散在场效应管上的最大功率， PDM＝vDSiD，其大小受场效应管最高工作温度的限制。 （3）最大漏源击穿电压V（BR）DS和栅源击穿电压V（BR）GS分别为漏源间和栅源间所能承受的最大电压。 1.8.5 场效应管使用注意事项 （1）制造时大部分产品已将源极与衬底连接在一起，源极与漏极不能互换。 （2）MOS场效应管栅极不能悬空，并且应在栅极和源极之间提供直流通路或加双向稳压管保护。结型场效应管可以用万用表检测，MOS场效应管不能用万用表检测。 （3）若MOS场效应管的衬底引线单独引出，连接时，P衬底应接低电位，N衬底应接高电位，以保证沟道与衬底间的PN结处于反向偏置，从而使衬底与沟道及各电极隔离。 （4）焊接场效应管时，电烙铁必须有外接地线，以屏蔽交流电场。特别是焊接MOS场效应管时，应采用等电位焊接方法或利用烙铁余热焊接。 1.8 课堂提问和讨论 耗尽型MOS场效应管与增强型MOS场效应管结构上有什么区别？使用中各有什么特点？ 能否用万用表检测MOS场效应管的引脚和性能？为什么？ 应如何保存和焊接MOS场效应管？ 试画出N沟道耗尽型、P沟道耗尽型、N沟道增强型、P沟道增强型、N沟道结型、P沟道结型场效应管的电路符号。 本章小结 1. 二极管是非线性器件，具有单向导电性能。为分析计算方便，工程上常将二极管的非线性伏