模拟电子技术教学课件作者第3版胡宴如电子教案SUM2课件.PPTVIP

小 结 第 2 章 一、两种半导体放大器件 双极型半导体三极管(晶体三极管 BJT) 单极型半导体三极管(场效应管 FET) 两种载流子导电 多数载流子导电 晶体三极管 1. 形式与结构 NPN PNP 三区、三极、两结 2. 特点 基极电流控制集电极电流并实现放大 放大 条件 内因：发射区载流子浓度高、基区薄、集电区面积大 外因：发射结正偏、集电结反偏 3. 电流关系 IE = IC + IB IC = ? IB + ICEO IE = (1 + ?) IB + ICEO IE = IC + IB IC = ? IB IE = (1 + ? ) IB 第 2 章　小　结 4. 特性 iC / mA uCE /V 100 μA 80 μA 60 μA 40 μA 20 μA IB = 0 O 3 6 9 12 4 3 2 1 O 0.4 0.8 iB / ?A uBE / V 60 40 20 80 死区电压(Uth)： 0.5 V (硅管) 0.1 V (锗管) 工作电压(UBE(on) ) ： 0.6 ? 0.8 V 取 0.7 V (硅管) 0.2 ? 0.3 V 取 0.3 V (锗管) 放大区 饱 和 区 截止区 放大区特点： 1)iB 决定 iC 2)曲线水平表示恒流 3)曲线间隔表示受控 第 2章　小　结 5. 参数 特性参数 电流放大倍数 ? ? ? = ? /(1 ? ? ) ? = ? /(1 + ? ) 极间反向电流 ICBO ICEO 极限参数 ICM PCM U(BR)CEO uCE O ICEO iC ICM U(BR)CEO PCM 安 全 工 作 区 = (1 + ?) ICBO 第 2章　小　结 场效应管 1. 分类 按导电 沟道分 N 沟道 P 沟道 按结构分 绝缘栅型 (MOS) 结型 按特性分 增强型 耗尽型 uGS = 0 时， iD = 0 uGS = 0 时， iD ? 0 增强型 耗尽型 (耗尽型) 2. 特点 栅源电压改变沟道宽度从而控制漏极电流 输入电阻高，工艺简单，易集成 第 2章　小　结 由于 FET 无栅极电流，故采用转移特性和输出特性描述 不同类型 FET 转移特性比较 3. 特性 不同类型 FET 的特性比较 结型 N 沟道 uGS /V iD /mA O 增强型 耗尽型 MOS 管 (耗尽型) IDSS 开启电压 UGS(th) 夹断电压UGS(off) IDO 是 uGS = 2UGS(th) 时的 iD 值 第 2章　小　结 二、晶体管电路的基本问题和分析方法 三种工作状态 状态 电流关系 条 件 放大 I C = ? IB 发射结正偏 集电结反偏 饱和 I C ? ? IB 两个结正偏 ICS = ? IBS 集电结零偏 临界 截止 IB 0, IC = 0 两个结反偏 判断导通还是截止： UBE U(th) 则导通 以 NPN为 例： UBE U(th) 则截止 判断饱和还是放大： 1. 电位判别法 NPN 管 UC UB UE 放大 UE UC ? UB 饱和 PNP 管 UC UB UE 放大 UE UC ? U B 饱和 2. 电流判别法 IB IBS 则饱和 IB IBS 则放大 第 2章　小　结 两个基本问题 静态 (Q ) — 动态 (Au) — 解决不失真的问题 “Q”偏高引起饱和失真 “Q”偏低引起截止失真 解决能放大的问题 两种分析方法 1. 计算法 1) 直流通路求“Q ” (从发射结导通电压UBE(on)出发) 2) 交流通路分析性能 交流通路画法 ： VCC 接地， 耦合电容短路 小信号 电路模型 + uce – + ube – ib ic C B E rbe E ib ic ? ic + ube ? + uce ? B C 第 2章　小　结 2. 图解法