第五章集成运放.pptVIP

* 5.8.3 理想集成运算放大电路 一、理想运算放大电路具有如下主要特性： （1）开环差模电压放大倍数 （2）差模输入电阻 （3）差模输出电阻 （4）频带宽度 （5）共模抑制比 * 二、线性状态下理想运放的特性 （1）虚短特性 即两输入端等电位，相当于“短路”，这一特性称为虚假短路，简称虚短。 (2) 虚断特性 * 作 业 4-1 (1) 4-2 4-4 4-5 4-7 4-6 4-12 4-14 * R 1 R 2 I C R 3 －U EE R B R 3 r be βI b rce ＋ － U o I b I o 图4―2单管电流源电路 * 图4―8 威尔逊电流源 * (1) (2) (3) Rr R 3 r be βIb3 rce ＋ － U o I o r be βI b2 I b2 r be βI b1 I b1 I b3 * (4) (5) (6) * * 以平面工艺为基础的半导体集成电路的制造工艺 1.由外延、氧化、光刻、扩散和薄膜淀积（或叫蒸铝）五种基本技术组成平面工艺。 2.采用PN结隔离技术和介质隔离技术。 3.NPN型晶体三极管是最基本的器件；PNP型晶体三极管有纵向和横向两种结构，由于发射区不是高掺杂的，因而，它们的β值极低，约在2～20之间。横向PNP型管的β值更低，典型值为3～5。 * 4.电阻通常有扩散电阻和金属膜电阻两类。 扩散电阻就是杂质半导体的体电阻，由标准N+扩散流程形成的N+区电阻的阻值一般为20～100Ω，由标准P扩散流程形成的P区电阻的阻值一般为100～20KΩ，阻值的误差较大，约为±20%。 利用标准的薄膜沉积流程在二氧化硅表面层上淀积一层金属膜作为电阻。 * 5.一般电容都是PN结（特别是发射结）在反向偏置时的结电容，也可用MOS电容，这是以SiO2为介质的电容器。一般电容量不宜超过100pF。 * 对单级放大器，当在晶体三极管的发射结上加上恒压源及正弦信号电压时，由于伏安特性的非线性，将使集电极电流ic中除了直流和基波分量之外，还包含各次谐波分量，若要求二次谐波振幅为基波振幅的2.5%，则允许信号电压的振幅为： Usm≤2.6mV T=300K时，kT/q=0.026V * * ——电压传输特性 * i C1 , i C2 I i C1 i C2 i C1 i C2 －6 U T / －4 U T －2 U T 0 2 U T 4 U T 6 U T u id Q I 2 (a)电流传输特性曲线 * (b)电压传输特性曲线 图 差动放大器的传输特性曲线 u o IR C －6 U T / －4 U T －2 U T 0 2 U T 4 U T 6 U T u id － IR C * 1、两管集电极电流之和恒等于I 2、传输特性具有非线性特性 当uid=0时，差动电路处于静态，这时 iC1=iC2=ICQ=I/2 1).在静态工作点附近，当|uid|≤UT，即室温下， uid在26mV以内时，传输特性近似为一段直线。 2).当| uid |≥4 UT,即uid超过100mV时，传输特性明显弯曲，而后趋于水平。 * ( R B ) ( R B ) V 1 V 2 R R － U EE I (a)串接R(RB)的线性区扩展电路 图 扩展差动电路的线性区范围 * i C1 , i C2 I ① ② I /2 R ↑( R B ↑ ) 0 u id 图 扩展差动电路的线性区范围 (b)线性区扩展后的电流传输特性曲线 * 二、差动放大电路正常工作的前提条件 差放电路输入电压的幅值是有限制的 差模输入电压受晶体管 发射结反向击穿电压的限制。 R C R C u id V 1 V 2 － ＋ u o － U EE I U CC － ＋ i C2 i C1 * R C U C2 R C U C1 U i1 V 1 V 2 － ＋ U oc － U EE V 3 U B3 R 1 R 2 R 3 U i2 U CC 共模输入电压所受的限制 UB3uic UC1 * 2、电流源电流I小于差放管的集电极临界饱和电流ICS(临界) 两差放管的静态工作点应该设置在交流负载线 中点偏低的位置，即ICQ≈IEQ ICS(临界)/2 R C R C u id V 1 V 2 － ＋ u o － U EE I U CC － ＋ i C2 i C1 电流源电流I（=2IEQ）小于差放管 的集电极临界饱和电流ICS(临界) * 5.4.5差动放大器的失调及温漂 一、差动放大器的失调 当输入信号为零时，由于两晶体管参数和电阻值不可能做到完全对称，因而使得输出不为零。这种现象，称