半导体薄膜材料的制备研究现状.ppt

XRD分析结果 根据XRD分析图谱，我们能明显的看出伴随着热处理温度的升高，RuO2和SiO2发生了相位分离。 四点探针表面电阻测量结果 随着Ru/Si比率的上升，电阻率在增大，而随着热处理温度的增加，电阻率在不断下降。 FTIR光谱检测结果 检测结果如右图，除了Ru-O和Si-O-Si键的光谱，还有1620cm-1水的光谱，图中可以看出随着热处理温度是升高， Ru-O和Si-O-Si键的波谷振动减弱，经分析，可能是由于RuO发生了分解。 紫外光透射率测量结果 从 图中可以看出，Si/Ru的比例越大，薄膜对紫外光的透射率越大，而热处理之后也可以提高薄膜对紫外光的透射率。 载流子浓度检测结果 经过一台霍尔测量仪检测，发现伴随着热处理温度的上升载流子浓度得到了增加。载流子迁移率经热处理发生了急剧下降，但随着热处理温度升高，载流子迁移率又缓慢的上升。 * 电导率、电阻率、载流子密度、载流子迁移率 * 薄膜半导体材料制备研究现状 小组成员：XXX 薄膜制备方法按物理、化学角度来分，有： 利用蒸发、溅射沉积或复合的技术，不涉及到化学反应,成膜过程基本是一个物理过程而完成薄膜生长过程的技术,以PVD为代表。 一、物理成膜 1. 定义 2. 成膜方法与工艺 真空蒸发镀膜（包括脉冲激光沉积、分子束外延） 溅射镀膜 离子成膜 2.1真空蒸发镀膜工艺方法 （1）对于单质材料，按常见加热方式有电阻加热、电子束加热、高频感应加热、电弧加热和激光加热。 1）电阻加热 2）电子束加热 3）高频感应加热 4）电弧加热 5）激光加热 6）分子束外延(MBE) 7） 脉冲激光沉积(PLD) 2.2 溅射镀膜（sputtering deposition） 溅射镀膜：是指在真空室中，利用荷能粒子轰击镀料表面，使被轰击出的粒子在衬底上沉积的技术。 （1）直流溅射镀膜（阴极溅射） （2）射频溅射镀膜 （3）磁控溅射镀膜 （4）离子束溅射 + - 2.3 离子成膜 1). 离子镀及其原理： 真空蒸发与溅射结合的镀膜技术，在镀膜的同时，采用带能离子轰击基片表面和膜层，使镀膜与离子轰击改性同时进行的镀膜技术。 即利用气体放电产生等离子体，同时，将膜层材料蒸发，一部分物质被离化，在电场作用下轰击衬底表面（清洗衬底），一部分变为激发态的中性粒子，沉积于衬底表面成膜。 （1） 空心阴极离子镀（HCD） （2）多弧离子镀 2).离子镀的分类 二、 化学气相沉积(CVD) 气相沉积过程中沉积粒子来源于化合物的气相分解反应，因此，称为化学气相沉积（CVD），否则，称为物理气相沉积（PVD）。 2.1 化学气相沉积的基本概念 900°C 2.2 分 类 2.3 CVD的化学反应 700-1000 ℃ 热分解反应 SiH4 ———?Si? + 2H2 氧化还原反应 SiHCl3 +H2 ——?Si? + 3HCl 歧化反应 2SiI2 ——?Si ? +SiI4 3.1液相外延 假设溶质在液态溶剂内的溶解度随温度降低而减小，那么当溶液饱和后再被冷却时，溶质析出，若有衬底与饱和溶液接触，则溶质会在适当的条件下外延生长在衬底上。 三、其他方法 Electrochemical preparation and characterization of three-dimensional nanostructured Sn2S3 semiconductor films with nanorod network 带有纳米棒网络的三维纳米结构硫化锡半导体薄膜的电化学制备方法与特性 制备原理： 电沉积的理论基础是电解定律。当电流通过电解质溶液时，与电源正极相连的阳极发生氧化反应，与电源负极相连的阴极发生还原反应，在稳态条件下，电子将全部参加反应，在电极表面形成沉积层。 制备过程： 在含有30 mM Sncl2、100 mM Na2S2O3、60 mM K4P2O4、的溶液中，PH值用HCl稀释，所有物质采用分析纯浓度，沉积在三电极体系中发生，采用恒电压沉积Sn2S3薄膜。 采用ITO导电玻璃作为工作电极，pt片作辅助电极，标准甘汞电极作为参考点击； 工作电极和辅助电极用丙酮和乙醇超声反复清洗，然后再用蒸馏水清洗，沉积过程要搅拌着保持30℃的温度20分钟，电压-0.8V，有效沉积面积是1×2cm2，最后在Ar气环境中，温度在250℃下退火60分钟。 实验原理图： 从XRD图中可以看出，沉积的Sn2S3薄膜，除了衬底ITO的衍射峰之外，在31.9°, 32.5° 和 37.9°这三个角度还含有相对斜方晶系的Sn2