电工电子技术教学课件作者第3版电子教案教学课件作者林平勇ch103课件.pptVIP

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2016-12-30 发布于广东
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10.3 二极管 10.3.1 二极管的结构 10.3.2 二极管的伏安特性 10.3.3 二极管的主要参数 10.3.4 二极管电路的分析 10.3.1 二极管的结构构成： PN结 + 引线 + 管壳 = 二极管 (Diode) 符号：分类：按材料分硅二极管锗二极管按结构分点接触型面接触型点接触型正极引线触丝 N型锗片外壳负极引线负极引线面接触型 N型锗 PN结正极引线铝合金小球底座金锑合金平面型正极引线负极引线集成电路中平面型 p N P型支持衬底 10.3.2 二极管的伏安特性 O uD /V iD /mA 正向特性 Uth 死区电压 iD = 0 Uth = 0.5 V 0.1 V (硅管) (锗管) U ? Uth iD 急剧上升 0? U ? Uth 反向特性 U (BR) 反向击穿 U（BR) ? U ? 0 iD 0.1 ?A(硅) 几十?A (锗) U U（BR）反向电流急剧增大 (反向击穿) 击穿电压反向击穿类型：电击穿热击穿反向击穿原因：齐纳击穿：反向电场太强，将电子强行拉出共价键。雪崩击穿：反向电场使电子加速，动能增大，撞击使自由电子数突增。 — PN结未损坏，断电即恢复。 — PN结烧毁。 1. IOM — 最大整流电流（最大正向平均电流） 2. URM — 最高反向工作电压，为U(BR) / 2 3. IRM — 最大反向电流（二极管加最大反向电压时的电流，越小单向导电性越好） 10.3.3 二极管的主要参数 10.3.4 二极管电路的分析一、理想二极管特性 uD iD 符号及等效模型 S S 正偏导通，uD= 0 ; 反偏截止， iD= 0 二、实际二极管 uD iD 例 1 硅二极管，R = 2 k?，求出 VDD = 2 V 时 IO 和 UO 的值。（忽略二极管正的向工作电压） UO VDD IO R 解： VDD = 2 V IO = VDD / R = 2 / 2 = 1 (mA) UO = VDD = 2 V UO VDD IO R 硅管 0.6 V 锗管 0.2 V 二极管正的向工作电压