电工电子技术教学课件作者第3版电子教案教学课件作者林平勇ch106课件.pptVIP

10.6 晶体管 10.6.1 晶体管的基本结构 10.6.2 电流分配和电流放大作用 10.6.3 特性曲线 10.6.4 主要参数 10.6.1 晶体管的基本结构 晶体管（三极管）是最重要的一种半导体器件。 部分三极管的外型 一、结构 N型硅 B E C N型硅 P型硅 （a） 平面型 二氧化硅保护膜 N型锗 E C B P P （b）合金型 铟球 铟球 三层半导体材料构成NPN型、PNP型 N N P 发射极 E 基极 B 集电极 C 发射结 集电结 — 基区 — 发射区 — 集电区 emitter base collector NPN 型 E C B 各区主要作用及结构特点： 发射区：作用：发射载流子 特点：掺杂浓度高 基区：作用：传输载流子 特点：薄、掺杂浓度低 集电区：作用：接收载流子 特点：面积大 P P N E B C 按材料分： 硅管、锗管 按结构分： NPN、 PNP 按使用频率分： 低频管、高频管 按功率分： 小功率管 500 mW 中功率管 0.5 ?1 W 大功率管 1 W E C B PNP 型 二、类型 10.6.2 电流分配和电流放大作用 一、晶体管放大的条件 1.内部条件 发射区掺杂浓度高 基区薄且掺杂浓度低 集电结面积大 2.外部条件 发射结正偏 集电结反偏 二、晶体管的电流分 配和放大作用 实验电路 mA mA IC EC IB IE RB EB C E B 3DG6 ?A 电路条件: ECEB 发射结正偏 集电结反偏 mA mA IC EC IB IE RB EB C E B 3DG6 ?A 测量结果 70 60 60 ?IC/ ? IB IC/ IB IE/mA IC/mA IB/mA 50 58 55 53 50 50 2.95 2.24 1.63 1.02 0.51 ?0.001 2.90 2.20 1.60 1.00 0.50 ?0.001 0.05 0.04 0.03 0.02 0.01 0 (1) 符合KCL定律 (2) IC和IE比IB大得多 (3) IB 很小的变化可以引起 IC很大的变化。 即：基极电流对集电极电流具有小量控制大量的作用，这就是晶体管的放大作用。 总结： 1.晶体管在发射结正向偏置、集电结反向偏置的条件下具有电流放大作用。 2.晶体管的电流放大作用，实质上是基极电流对集电极电流的控制作用。 10.6.3 特性曲线 一、输入特性 输入 回路 输出 回路 与二极管特性相似 RC EC iB IE RB + uBE ? + uCE ? EB C E B iC + ? + ? + ? iB RB + uBE ? EB + ? O 特性基本重合(电流分配关系确定) 特性右移(因集电结开始吸引电子) 导通电压 UBE Si 管: (0.6 ? 0.7) V Ge管: (0.2 ? 0.3) V EB + ? RB 二、输出特性 1.调整RB使基极电流为某一数值。 2.基极电流不变，调整EC测量集电极电流和uCE 电压。 输出特性曲线 50 μA 40 μA 30 μA 10 μA IB = 0 20 μA uCE /V O 2 4 6 8 4 3 2 1 iC / mA mA IC EC IB RB EB C E B 3DG6 ?A RC V + uCE ?