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HIT高效太阳电池简介(Heterojunction with Intrinsic Thin -layer) 华东光电子科技创新基地 2009年7月28日 晶体硅太阳电池结构示意图 薄膜硅太阳电池的典型结构 光照侧 p/I a-Si 5~10nm i/n a-Si 5~10nm N型晶体硅 156X156 200um厚 HIT电池结构示意图 背光侧 Structure Conventional PN PV Surface Ag / SiN / c-Si(n) / c-Si(p) / Al / Ag Backside Hetero Junction PV Surface Ag / TCO / a-Si(p) / a-Si(i) / c-Si(n) / a-Si(i) / a-Si(n) / TCO / Ag Backside HIT高效太阳电池特点 (光照侧)P/I非晶硅薄膜和(背面侧)I/N非晶硅薄膜夹住N型单晶硅片; 两侧顶层形成透明的电极(TCO) 电池对称结构,双面受光; 非晶硅/单晶硅电池的结合,吸收太阳光谱范围宽; 非晶硅PN结,能在200℃以下低温下沉积; HIT电池制作过程 N型硅片(200um,1Ωcm)表面织构化; 用PECVD在晶硅正面沉积i/P非晶硅; 用PECVD在晶硅背面沉积i/N非晶硅; 用溅射技术在电池两面沉积透明TCO;