晶体管原理-0809.ppt

第三章 双极结型晶体管 3.1.3 均匀基区晶体管的(直流短路)电流放大系数 第三章 双极结型晶体管 对均匀基区晶体管的几个假设 第三章 双极结型晶体管 晶体管的电流密度 第三章 双极结型晶体管 发射区少子分布: 第三章 双极结型晶体管 发射区杂质缓变分布,类似有 第三章 双极结型晶体管 2) 基区输运系数 基区渡越时间 *Institute of Microelectronics Circuit System 半导体器件原理 2009.03.20 -- I.晶体管的直流特性 测量方块电阻是实际生产中检验扩散或外延结果的一种重要手段。具体测量时并不需要从半导体材料上切一个方块下来，只需要用四探针仪器在材料表面进行测量，再经过一定的换算就可以得到方块电阻的值。 R□ 方块电阻:表面为正方形的(半导体)薄层材料，电流方向与其某个边平行时，在电流方向所呈现的电阻。 -- I.晶体管的直流特性 (1)发/集结都是突变结,各区杂质均匀分布; (2)发/集区长度远大于少子扩散长度,两端少子浓度等于平衡值; (3)势垒区宽度远小于少子扩散长度,忽略势垒区中的复合作用; (4)外加电场都降落在势垒区; (5)晶体管是一维的,发/集结是平行面; (6)基区小注入. -- I.晶体管的直流特性 基区少子分布: 扩散电流: 考虑基区复合损失时: -- I.晶体管的直流特性 扩散电流: 集电区少子分布: 扩散电流 Institute of Microelectronics Circuit System --*-- 第三章 双极结型晶体管 电流放大系数 -- I.晶体管的直流特性 1)发射结注入效率 Institute of Microelectronics Circuit System --*-- 第三章 双极结型晶体管 2) 基区输运系数 -- I.晶体管的直流特性 电荷控制法求集区输运系数 Institute of Microelectronics Circuit System --*-- 第三章 双极结型晶体管 基区渡越时间 -- I.晶体管的直流特性 3) 均匀基区晶体管短路电流放大系数 定义:少子在基区从发射结渡越到集电结所需要的平均时间,记为τb 在t=0 到t=τb 这段时间内，注入到基区中的少子电荷为ΔQnB ，即: Institute of Microelectronics Circuit System --*-- 第三章 双极结型晶体管 3.1.4 缓变基区晶体管的电流放大系数 -- I.晶体管的直流特性 基区杂质近似为指数分布: 杂质浓度为指数分布时：　　内建电场是与x无关的常数 基区内建电场的形成 空穴浓度的不均匀性导致空穴的扩散,产生电场,类似pn结自建电场的形成,平衡时空穴电流密度为零。 Institute of Microelectronics Circuit System --*-- 第三章 双极结型晶体管 2. 基区少子浓度分布 -- I.晶体管的直流特性 少子电流密度 -- I.晶体管的直流特性 平面管集电区杂质均匀分布,有 电流放大系数 1) 发射结注入效率 -- I.晶体管的直流特性 内建电场对少子是加速场,使基区渡越时间大为缩短 　　足够大时 *Institute of Microelectronics Circuit System 半导体器件原理 2009.03.20 * * * *