产线工艺流程介绍20120616探究.ppt

目的：对芯板进行IV测试，获得其各个性能参数 该设备关键部件采用德国进口脉冲氙灯，模拟标准测试条件AM（air mass大气质量）1.5、1000W/m2、25℃，达到测试IV参数的目的 测试环境温度：25±2℃； 单台数据一致性：±1%； 多台数据一致性：±2%； I-V测试设备 目的：去除刻线中的杂质以及芯片印迹 芯片清洗 目的：焊接汇流条——铝带，以引出电流 此设备通过超声波能量，使Al带与芯片上的Al膜焊接在一起。 设备由超声波焊接机、双圆型焊头、工件装夹运动平台和控制机柜构成，超声波焊头安放在两侧的移动机构上，通过伺服电机控制同步带运动带动焊头移动实现滚动焊接，焊接时间短，无火花，环保安全，焊后导电性好，电阻系数极低。 滚焊-超声波焊接 目的：背板玻璃、EVA、芯片叠合在一起，为后序层压做准备 敷设 1.5 组后各工序产品介绍 层压：在一定真空和高温的条件下，通过对电池组件表面施加一定的压力，将电池芯片、EVA和背板玻璃形成一个具有一定刚性的整体。 接线盒安装：将接线盒粘贴到组件背面，铝带焊接完成后，用灌封胶填充盒体。 边缘涂密封胶：在组件四周涂一层密封胶，提高组件在潮湿条件下的绝缘性能，缓冲防撞，防止磕角。 测试：在标准条件下，测试出芯片电性能参数 标签粘贴 目的：在一定真空和高温的条件下，通过对电池组件表面施加一定的压力，将电池芯片、EVA和背板玻璃形成一个具有一定刚性的整体。 工艺温度：160℃ 层压机设备（奥瑞特） 目的：将接线盒粘贴到组件背面；铝带焊接完成后，用灌封胶填充盒体，保护电极在后期不会出现短路、漏电问题 接线盒安装工序 目的：在组件四周打一层密封胶，提高组件绝缘性能，缓冲防撞，防止磕角 边缘打密封胶 太阳能电池组件包装：经过FQC检测合格的组件，按功率分档装箱 每箱50PCS 太阳能电池组件包装 产线工艺流程 Thank you for your attention! * 产线工艺流程介绍 目录 产线工艺流程介绍 前工序介绍 PECVD工序介绍 PVD工序介绍 组前工序介绍 组后工艺介绍 产线工艺流程 1.1 前工序产品介绍 清洗一：去除透明导电玻璃上的灰尘、油污，获得清洁的表面 透明导电膜玻璃 磨边：磨掉导电玻璃锋利的四边；对四个角倒角。提高玻璃安全性 激光一：把TCO导电膜分成39个小块，每个小块绝缘 清洗二：去除激光划刻后膜层表面残留的颗粒 目的：磨掉导电玻璃锋利的四边，消除玻璃应力，提高安全性 磨边后尺寸：1244±1mm×634±1mm×3.1±0.1mm； 磨边机 目的:去除透明导电玻璃的灰尘、油污，获得清洁的表面 纯水电阻率≥15MΩ?cm 清洗机一 目的：把TCO导电膜分成等面积的39个子电池 采用德国rofin公司的激光器，使用高科技空气轴承技术实现玻璃板匀速传输及精确刻划线。激光刻划时，采用红外激光(1064nm)以达到刻划效果。 线宽:40~50μm 正极边线距：(16.2-0.2mm)~(16.2+0.3mm) 跨线电阻：≥20KΩ 直线度：＜20μm 激光一（P1） 目前：去除激光划刻后膜层表面残 留的颗粒 清洗二 1.2 PECVD工序介绍 PECVD：等离子体增强化学气相沉积，在透明导电玻璃的导电膜上， 气相沉积非晶 硅锗 三结 叠层薄膜，拓宽电池对太阳光吸收波长范围。 此设备为“单室多片”模式，整个工件架内的玻璃（72片），完成P、I、N三层非晶硅的沉积。生产效率高，且能够制备出SiGe薄膜电池，而这在欧瑞康、应用材料等设备上因气体利用率过低而不能实现产业化。 工艺温度：225℃ 本底真空：8E-3Pa 沉积压力：50~133Pa 沉积功率：100~200W 膜厚：400~550nm PECVD设备 1.3 PVD区域各工序 PVD：沉积背电极 激光二：去除硅膜，形成分割的子电池连接的通道 激光三：去除硅膜及背电极膜 扫边：去除四周边缘部分膜层，保证组件绝缘安全 目的：去除硅膜，形成分割的子电池连接的通道 此设备的机体与P1设备类似，但采用532nm的绿激光，实现a-SiGe薄膜刻划 线宽:75±5μm 直线度：＜20μm 与P1间距：20~100μm 激光二（P2） 目的：用磁控溅射设备沉积AZO/Al 背电极，有效收集载流子 设备分为进/出片室，缓冲室以及沉积室五部分；沉积室安装有8个靶位，可分别安装不同的靶材，一次性完成AZO/Ag/NiCr/Al或者是AZO/Al的溅射； AZO膜厚：80±10nm，方阻：450±100Ω/□； AL膜厚：100±10nm，方阻：0.5±0.1Ω/□； PVD设备 目的：去除硅膜及背电极，形成39个串联的子电池 线宽:75±5μm 直线度：＜20μm 与P1间距：220~270μm p1 p2 p