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- 2016-12-30 发布于未知
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集成逻辑门电路 3.4 CMOS 集成逻辑门电路 MOS门电路是在TTL电路问世之后开发出的第二种广泛应用的数字集成电路。它由场效应管构成,具有制造工艺简单、连接方便、集成度高、功耗低和抗干扰能力强等优点,所以发展很快,更便于向大规模集成电路发展,缺点是速度较低。 其中的CMOS门电路是用P沟道MOS管和N沟道MOS管按照互补对称形式连接起来构成的,故称为互补型MOS集成电路,简称CMOS集成电路,目前应用最多。 3.4. 1 CMOS反相器 一、电路组成及工作原理 A Y 1 +UDD G2 D2 S2 A Y VF2 D1 S1 G1 USS VF1 当输入A为1(约为UDD)时,驱动管VF2的栅-源电压大于开启电压,处于导通状态;负载管VF1的栅-源电压小于开启电压的绝对值,处于截止状态,输出Y为0(约为0V)。 当输入A为0(约为0V)时,VF2截止,而VF1导通。这时,电源电压便主要降在VF2上,故输出Y为1(约为UDD)。 表达式及逻辑符号 3.4. 2 CMOS 逻辑门电路 与非门 1、CMOS 与非门电路 +UDD V F1 V F2 V F3 V F4 A B Y A B Y = A B VF1 VF2 VF3 VF4 Y 0 0 0 1 1 0 1 1 截 通 截 通 通 通 通 截 截 通 截
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