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3.4 多芯片模块/组件（MCM：mulit-chip module） 3.5 三维立体封装(3D) 3.有源基板型3D 3. SIP的主要应用 4. 面向未来的SOP概念 5. SIP中的关键技术 实现叠层型3D封装的两种方法： 封装内的裸片堆叠 封装内的封装堆叠或称封装堆叠 1. 叠层型3D封装 以錫球型态接合的叠层3D封裝 ·因为裸片堆叠CSP在开发Z方向空间（即高度）的同时还保持了其X和Y方向上的元件大小（厚度即使增加也是非常小），这种封装已经被很多手机应用所接受。裸片堆叠CSP封装的主要缺点是，如果堆叠中的一层集成电路出现问题，所有堆叠的裸片都将失效。 ·封装堆叠使得能够堆叠来自不同供应商和混合集成电路技术的裸片，也允许在堆叠之前进行预烧和检测。 裸片堆叠和封装堆叠比较 关键技术 1.芯片厚度的控制 :晶圆的减薄, 背面研磨到100微米以下.在晶片背面机械研磨过程中，硅晶粒形变很容易导致应力。——引发裸片破裂、扭曲。 CMP，湿刻蚀和等离子刻蚀 50 ,极限10-20 (a)支架型针脚焊 (b)金楔焊 (c)极低环路焊接 2. 引线焊接技术 :线焊技术是决定封装堆叠模盖最小高度和S-CSP裸片堆叠高度的一个关键因素 。 3. 裸片堆叠技术 4 .薄模成型技术 :为了能够堆叠封装，底部封装模盖的厚度必须小于顶部