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　　　　　　MOS存储器 一．存储器的分类 　 1.只读存储器ROM（read only memory） 　(1).固定式只读存储器（掩膜编程ROM）（mask programmed ROM）; 　(2).可编程只读存储PROM(programmed ROM); 如熔丝型，一旦编程完毕，就不能改． 以上两类都是不挥发性的，断电信息不会丢失． 2.不挥发性读写存储器NVRWM(non-volatile read-write memory) 习惯称为可擦除型ROM. (1)可擦除型EPROM(erasable PROM)．紫外光擦除，一次性全部擦除． （２）电可擦除EEPROM(electrically erasable PROM)．浮栅隧道结构，可逐字擦写，速度快，不需从设备上取出．价格较贵． （３）闪烁型　　 复栅结构，比EEPROM简单，通常用作可变信息的存储． 3.随机存取存储器RAM(random access memory) 挥发性的. （１）静态SRAM：采用双稳态触发器作为存储元件．没有外界触发信号时，不改变状态．只要有电源，信号保持． （２）动态DRAM，利用电容来存储信息，需刷新． 优点：存储单元的元件数少，单元面积小，功耗低，适　　　 　　　　合大规模集成； 　缺点：需要复杂的刷新电路