电路与电子线路基础(电子线路部分)2章.pptVIP

激光的侧向结构对光的侧向模进行控制，而纵向结构则对纵向(Longitudinal，光子行进方向)模进行控制。在一个由切割或刻蚀出的激光镜构成的法-比共振腔中，几种纵向模可能同时形成激射。为了避免多模效应，人们做出了许多努力来发展单一频率或动态单模的激光器，其关键是对需要的模式提供足够的增益，对不需要的模式产生足够的损耗。有效的方法是用多元共振腔或分布式反射（distributed reflection）的共振腔。 激光二极管的电光特性 激光二极管在未达到激射时的自发辐射电流isp Is是反向饱和电流。k是Boltzmann常数，??2 激光二极管达到激射时的电流、载流子和光子密度之间的关系可由下面的所谓速率方程(rate equations)加以描述： iD和vD是LD内部的输入电流和电压，Csc是二极管结电容，isp是二极管自发辐射电流， tn和tp分别是载流子寿命和光子寿命，go是光增益因子，Ith是阈值电流，Ing0为一恒定电流，e为波导损耗（增益压缩）因子, s是相对光子密度因子，sn可表示为 Vact是有源区体积，G为有源区内光波限定因子，b为电子流到光子流的转化因子，isr为从输出负载反射回来的光子流，?0为效率，Pom为最大输出功率。 通常采用激光二极管的电流-光功率曲线即I-P曲线来描述其大信号特性。 激光二极管本身又具有一个I-V特性。 有时将I-P和I-V特性曲线绘在一张图中，构成一张如下图所示的I-V/P特性曲线。 光电二极管Photodiode（PD） 2种光电二极管的剖面图 PIN-PD APD PD工作原理 反偏(reverse biased). 无光照时, 只有一个很小的反向饱和电流(saturated reverse current), 称之为暗电流(dark current). 光照时,耗尽区(depletion region)产生电子空穴对(electron-hole pairs) ，电子空穴对在强电场作用下，迅速掠过耗尽区，漂移到电极，在外电路中形成电流。 PIN光电二极管具有低噪声、高带宽、与低电压放大器电路相容、结构简单、高可靠性等优点，常用在高速光通信中。 APD和PIN PD的区别在于APD的P和N层掺杂比PIN PD的P和N层要重。这就使得在APD的耗尽区形成更高的场强。当初始的电子－空穴对产生之后，这些载流子以极高的速度与晶格碰撞，产生二次的电子－空穴对。接着, 二次到三次，三次到四次，···，形成雪崩效应。由于雪崩效应，由初始光源产生的电子－空穴对会高倍增加。因此APD具有更高的灵敏度。 PD接收的光波波长由PD耗尽区的材料决定。硅制成的PD和GaAs制成的PD的响应光谱与AlGaAs/GaAs系统发射的光源相匹配，工作波长为0.85μm，而由Ge、InGaAs或InGaAsP制成的PD可以覆盖的光波范围为1.2~1.6μm。 光电二极管可以用两个电流源和结电容Cd相并联的支路来代替,如下图所示。 电流源id代表引起散弹噪声(Shot noise)的暗电流，电流源is代表由原始光产生的电流。 对PIN型或MSM型的PD，由光功率P产生的电流为：is = R0P，其中 ?是二极管的量子效应(quantum effect)，h?/q是以eV为单位的光子能量(photon energy)。 对APD，光电转换因子为GR0，G是平均的雪崩增益(avalanche gain)。 PD的速度可以用响应时间(response time)或截止频率来描述。响应时间由光源引起的载流子激发时间td决定， td= W/v W是耗尽区的宽度，v是由光源产生的载流子的迁移速度。 由td决定的PD的截止频率为 * 二极管的一级模型 指数曲线用折线近似后，可得一个初始电压E0和一个线性电阻RD。二极管内的其它串联电阻，包括P区和N区本身的体电阻，引线电阻等都可以合并到RD中。图中D是理想二极管，它保证了等效电路是单向导通的。 二极管的二级模型 二极管直接采用指数方程式，并考虑结电容和串联电阻，如图所示。 由于等效电路的基本关系较为复杂，一般仅用于需要精确计算的场合，并采用计算机方法来计算。 半导体器件的SPICE语句描述方式 迄今为止所列的元件通常只需要几个参数就可以完全确定它们的电特性。 但是，本章介绍的二极管D与后面几章要讨论的双极性三极管（BJT）、结型场效应管（JFET）、金属-半导体结场效应管MESFET和金属-氧化物-半导体场效应管（MOSFET）等半导体器件的电性能则需要几十到上百个参数才能较为精确地加以描述。 此外，电路中的许多器件常常用一套器件模型参数来进行定义。因此，需要