模拟电子技术-第三章(半导体二极管及其基本应用电路).pptVIP

本章的主要内容 加1： 半导体材料 §3.1.3 PN结 1. PN结的形成 2. PN结的单向导电性-1 §3.2 半导体二极管 §3.2.2 半导体二极管的伏安特性曲线 §3.2.3 半导体二极管的参数 §3.2.4 二极管的等效电路 二极管基本电路分析 §3.2.4 二极管折线模型 §3.2.4 二极管基本电路分析-小信号模型1 §3.2.4 二极管基本电路分析-小信号模型2 §2.4 二极管基本电路分析-7 §2.4 二极管基本电路分析-8 §3.2.5 二极管基本电路分析-限幅电路 §3.2.5 二极管基本电路分析-开关电路 §3.2.5 二极管基本电路分析-整流电路 §3.2.5 二极管基本电路分析-限幅电路 特殊二极管 当负载电流变化时如何稳压 §3.4 特殊二极管 我们学习了什么？ 半导体的基本知识：半导体材料、半导体的共价键结构、本征半导体、空穴及其导电作用、杂质半导体。 PN结的形成及特性：载流子的漂移与扩散、PN结的形成、PN结的单向导电性、PN结的反向击穿、PN结的电容效应。 二极管：二极管的结构、V-I特性、主要参数。 二极管的基本电路及其分析方法：简化模型分析方法（四种模型）；限幅电路（保护电路）、开关电路、整流电路、低电压稳压电路 特殊二极管：稳压（齐纳）二极管及其应用、变容二极管、肖特基二极管（SBD）、光电子器件。 Good good study, day day up! _ 硅二极管的死区电压Vth=0.5~0.8V左右， 锗二极管的死区电压Vth=0.2~0.3 V左右。 当0＜V＜Vth时，正向电流为零，Vth称死区电压或开启电压。 正向特性为两段： 当V ＞Vth时，开始出现正向电流，并按指数规律增长。 反向特性也分两个区域： 当VBR＜V＜0时，反向电流很小，且基本不随反向电压的变化而变化，此时的反向电流也称反向饱和电流IS 。 当V≥VBR时，反向电流急剧增加，VBR称为反向击穿电压 。 硅二极管的反向击穿特性比较陡，反向饱和电流也很小；锗二极管的反向击穿特性比较软，过渡比较圆滑，反向饱和电流较大。 若|VBR|≥7V时, 主要是雪崩击穿；若|VBR|≤4V时, 则主要是齐纳击穿。 (1) 最大正向平均电流IF (2) 反向击穿电压VBR (3) 反向电流IR (4) 最高工作频率FM 在室温，规定的反向电压下，最大反向工作电压下的反向电流值。硅二极管的反向电流一般在纳安(nA)级；锗二极管在微安(?A)级。 二极管工作的上限频率。 二极管连续工作时，允许流过的最大正向平均电流。 二极管反向电流急剧增加时对应的反向电压值称为反向击穿电压VBR。为安全计，在实际工作时，最大反向工作电压VRM一般只按反向击穿电压VBR的一半计算。 加： 半导体二极管实物（１） 加： 半导体二极管实物（２） 简单的二极管电路如图所示，由二极管、电阻和电压源组成，其分析方法一般有两种： 图解法、模型法（等效电路法）。 正向偏置时： 管压降为0，电阻也为0。 反向偏置时： 电流为0，电阻为∞。 当iD≥1mA时， vD=0.7V。 1. 理想模型 2. 恒压降模型 rD的求法： I-V特性和电路模型 I-V特性和电路模型: 参见P29 直流 交流 1.静态分析 例1：求VDD=10V时，二极管的 电流ID、电压VD 值。 解： 1. 理想模型 正向偏置时： 管压降为0，电阻也为0。 反向偏置时： 电流为0，电阻为∞。 2. 恒压降模型： 3. 实际模型（折线）： 当iD≥1mA时， vD=0.7V。 VR Vm vi t 0 Vi VR时，二极管导通，vo=vi。 Vi VR时，二极管截止， vo=VR。 例2：理想二极管电路中 vi= Vm sinωt，求输出波形v0。 解： vI1 vI2 二极管工作状态 D1 D2 v0 0V 0V 导通 导通 导通 截止 截止 导通 截止 截止 0V 5V 5V 0V 5V 5V 0V 0V 0V 5V 例11：求vI1和vI2不同值组合时的v0值（二极管为理想模型）。 解： 正半周： D1、D3 导通 D2、D4 截止 负半周： D2、D4导通 D1、D3截止 例4：求下面的全波整流电路的输出波形。 解： V1 vi t 0 Vm V2 ViV1时，D1导通、D2截止，Vo=V1。 ViV2时，D2导通、D1截止