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第一章 1 应力：材料单位面积上所受的附加内力，其值等于单位面积上所受的外力 σ = F/A 应力的单位为牛顿/米2, 即N/m2，又写为Pa 应变：材料受力时内部各质点之间的相对位移 A 拉伸应变是指材料受到垂直于截面积的大小相等、方向相反并作用在同一直线上的两个拉伸应力时材料发生的形变 B 剪切应变是指材料受到平行于截面积的大小相等、方向相反的两个剪切应力时发生的形变 C 压缩应变是指材料周围受到均匀应力P时，其体积从起始V0变化为V1 = V0 -V的形变 : 2 泊松比 μ：在拉伸试验中,材料横向单位面积的减少与纵向单位长度的增加之比值, 即μ = 3 黏性形变：粘性物体在剪切应力作用下发生不可逆的流动形变,该形变随时间增加而增大。理想粘性形变行为遵循牛顿粘性定律,即剪切应力与应变率或流动速度梯度成正比 4 塑性： 材料在外应力去除后保持部分应变的特性 蠕变： 在恒定的应力σ作用下材料的应变ε随时间增加而逐渐增大的现象。影响蠕变的因素有：温度、应力、组分、晶体键型、气孔、晶粒大小和玻璃相等 黏弹性： 形变一般介于理想弹性固体与理想黏性液体之间，既有固体的弹性又具有液体的黏性 5牛顿流体：在足够大的剪切应力下或温度足够高时,无机材料中的陶瓷晶界、玻璃和高分子材料的非晶部分均会产生粘性形变,因此高温下的氧化物流体、低分子溶液或高分子稀溶液大多属于牛顿流体 非牛顿流体：高分子浓溶液或高分子熔体不符合牛顿粘性定律,为非牛顿流体。 6 应力松弛：指在恒定的应变时，材料内部的应力随时间增长而减小的现象 7塑性形变：在足够大的剪切应力τ作用下或温度T较高时,材料中的晶体部分会沿着最易滑移的系统在晶粒内部发生位错滑移,宏观上表现为材料的。滑移和孪晶：晶体塑性形变两种基本形式 8屈服强度：材料开始产生宏观塑性变形所需之应力，它表示材料抵抗塑性形变的能力。由Schmid定律推得屈服强度如下式： 第二章 1热力学平衡态：一个系统处在不变的外界条件下时，则经过一定的时间后系统将达到一个宏观性质不随时间变化的状态。热力学平衡态是一种动态平衡，故也称为 “热动平衡” 2声子： 指格波的量子，它的能量等于h(。一个格波，也就是一种振动模，称为一种声子。声子不是真实的粒子，称为“准粒子”，它反映的是晶格原子集体运动状态的激发单元。 3热传导：材料中的热量自动地从热端传向冷端的现象 4热稳定性：材料承受温度的急剧变化而不致碎裂破坏的能力 5热应力：材料在未改变外力作用状态时，仅因热冲击而在材料内产生的内应力 第三章 1单电子近似法假设： （1）固体原子核按一定周期性固定排列在晶体中； （2）每个电子是在固定原子核势场及其它电子的平均势场中运动。 2准自由电子近似法假设：晶体中电子近似于自由的，周期势场随空间位置的变化比较小，可以当作“微扰”来处理. 3居里温度： 4霍尔效应：沿x方向通以电流（电流密度为Jx），同时在z方向加磁场（磁感应强度为Bz），则在y方向的两边就会产生一个电位差（横向电场Ey）：Ey = RHJxBz 5磁阻效应：在与电流垂直的方向加磁场后，沿外电场方向的电流密度有所降低，即磁场的存在导致半导体电阻增大 6迈斯纳效应：当超导体低于某临界温度Tc时，外加的磁场会被排斥在超导体之外 7约瑟夫逊效应：当在两块超导体之间存在一块极薄的绝缘层时，超导电子（对）能通过极薄的绝缘层 8杂质补偿：同时含有施主和受主两类杂质的半导体，由于受主能级比施主能级低得多，施主上的电子首先要去填充受主能级，从而减弱了施主向导带提供电子的能力和受主向价带提供空穴的能力，不同类型的杂质相互抵消而使半导体的导电能力减弱 若NAND : 含有受主杂质的n型半导体 若NAND : 含有施主杂质的p型半导体 若NA=ND: 重补偿，表现本征半导体性质 第四章 1磁偶极子：一个小磁体，就其在距离比其自身尺寸大得多的所有点的磁场而言，它可用一个平面电流回路来代替，这样能够用无限小电流回路所表示的小磁体，定义为磁偶极子 2磁极化强度：单位体积磁体内磁偶极子具有的磁偶极矩矢量和。 Jm= ( jm /(V ( Wb · m-2 ) 磁化强度：单位体积磁体内磁偶极子具有的磁矩矢量和。 M = ( (m /(V (A · m