集成电路制造流程.ppt

版图 5 、接触孔——多晶硅，扩散区和金属线1接触端子 2012-04-23 中国科学技术大学 快电子实验室 刘树彬?赵雷 * 版图 6 、金属线1——做金属连线，封闭图形处保留铝 2012-04-23 中国科学技术大学 快电子实验室 刘树彬?赵雷 * 版图 2012-04-23 中国科学技术大学 快电子实验室 刘树彬?赵雷 * 反相器的版图与原理图对照 2012-04-23 中国科学技术大学 快电子实验室 刘树彬?赵雷 * 制造过程（1） 2012-04-23 中国科学技术大学 快电子实验室 刘树彬?赵雷 * 制造过程（2） 2012-04-23 中国科学技术大学 快电子实验室 刘树彬?赵雷 * 制造过程（3） 2012-04-23 中国科学技术大学 快电子实验室 刘树彬?赵雷 * 制造过程（4） 2012-04-23 中国科学技术大学 快电子实验室 刘树彬?赵雷 * 制造过程（5） 2012-04-23 中国科学技术大学 快电子实验室 刘树彬?赵雷 * 制造过程（6） 2012-04-23 中国科学技术大学 快电子实验室 刘树彬?赵雷 * 制造过程（7） 2012-04-23 中国科学技术大学 快电子实验室 刘树彬?赵雷 * 制造过程（8） 2012-04-23 中国科学技术大学 快电子实验室 刘树彬?赵雷 * CMOS反相器截面 2012-04-23 中国科学技术大学 快电子实验室 刘树彬?赵雷 * 集成电路纵向剖面结构 2012-04-23 中国科学技术大学 快电子实验室 刘树彬?赵雷 * 完成互连后的芯片表面状态 在高电流密度所形成的电子风(electlon wind)破坏下，导线的电阻值随时间的增加而升高，最后导致导线开路，这就是一般所谓的电迁移效应。 * BCD是一种单片集成工艺技术。1986年由意法半导体（ST）公司率先研制成功，这种技术能够在同一芯片上制作双极管bipolar，CMOS和DMOS 器件，称为BCD工艺。 * * d) 通过掩膜板对光刻胶进行曝光e) 显影除去未曝光的胶f) 蚀刻掉窗口二氧化硅层 g) 除去光刻胶 * 用掩膜板1蚀刻n阱窗口，进行P扩散形成n阱 * 用掩膜板2制作出2个有源区，2个MOSFET将要在这2个区域形成 * 首先在有源区氧化形成高质量的薄的二氧化硅层，用以制作栅极 掩膜板3用以制作栅极，图中的红色部分；与此同时栅极之间也完成了互连 * 掩膜板4用于控制进行深层的As扩散，形成n隧道器件的源区和漏区 * 掩膜板5用于控制进行深层的B扩散，形成p隧道器件的源区和漏区 * 在这个圆片上氧化形成薄的二氧化硅层，掩膜板6用于形成接触孔的图形，蚀刻出接触孔 * 通过溅射或蒸镀形成一层铝膜，掩膜板7用于形成互连线的图形 场氧（热氧化生长） 热氧化即通过把硅暴露在高纯氧的高温气氛围里完成均匀氧化层的生长。热氧化分为湿氧氧化和干氧氧化两种。 湿氧氧化： 当反应中有水汽参与，即湿氧氧化，氧化速率较快。 干氧氧化： 如果氧化反应在没有水汽的环境里，称为干氧氧化。 2012-04-23 中国科学技术大学 快电子实验室 刘树彬?赵雷 * 场氧（热氧化生长） 湿氧氧化因为水蒸气在Si中的扩散速度比氧气快，所以湿氧氧化速度快，氧化膜的质量差。 干氧氧化速度慢，但是氧化膜的致密度较好。 湿氧氧化一般用于制造场氧， 干法氧化用于制造硅栅用的薄氧。 2012-04-23 中国科学技术大学 快电子实验室 刘树彬?赵雷 * 栅氧和阈值电压调整 未经调整的PMOS管的阈值电压在-1.5 V到-1.9 V之间，NMOS可能在-0.2 V到0.2 V之间。所以在栅氧（厚度在0.01 um~0.03 um）生长后，一般在栅氧区注入硼来进行阈值电压调整。 工艺线上一般同时对NMOS和PMOS进行阈值电压调整，将NMOS阈值电压调整到0.7~0.8 V，PMOS调整到0.8~0.9 V阱区掺杂浓度过高会导致阱区结电容和衬偏效应更加明显，阈值电压调整可以降低阱的掺杂浓度。 2012-04-23 中国科学技术大学 快电子实验室 刘树彬?赵雷 * 多晶硅淀积 使用多晶硅掩膜（也成Poly层）光刻淀积多晶硅层，现代工艺足以制造22 nm（May 2，2011）的多晶硅栅。栅长的变化直接影响晶体管的跨度，因而对多晶硅的刻蚀成为了CMOS工艺中最关键的光刻步骤，也是最有挑战性的光刻步骤。一般我们把能刻蚀的最小栅长称为工艺线的特征尺寸。 使用SiH4在650℃下化学气象淀积多晶硅（注意1000~1250℃会形成单晶硅）对多晶硅层进行磷离子注入，用于减小多晶硅的方块电阻（10-40 Ω/ □）。 2012-04-23 中国科学技术大学 快电子实验室 刘树彬?赵雷 * 源/漏注入 使用硼掺杂来形成P+有源区，用于形成P