第一章 半导体物理基础介绍.pptVIP

Ev ? 接触前 半导体的功函数又写为 半导体一边的势垒高度 金属一边的势垒高度 忽略接触间隙 qVD 半导体表面形成一个正的空间电荷区 电场方向由体内指向表面 半导体表面电子的能量高于体内的，能带向上弯曲，即形成表面势垒 当金属与n型半导体接触 在势垒区中，空间电荷主要由电离施主形成，电子浓度要比体内小得多，因此它是一个高阻的区域，常称为阻挡层。 当金属与n型半导体接触 半导体表面形成一个负的空间电荷区 电场方向由表面指向体内 半导体表面电子的能量低于体内的，能带向下弯曲 在空间电荷区中，电子浓度要比体内大得多，因此它是一个高电导的区域，称为反阻挡层。反阻挡层薄, 高电导, 对接触电阻影响小 Ec Ev EF ?-Φm 隧道效应：重掺杂的半导体与金属接触时，则势垒宽度变得很薄，电子通过隧道效应贯穿势垒产生大隧道电流，甚至超过热电子发射电流而成为电流的主要成分，即可形成接近理想的欧姆接触。 实际的欧姆接触 1.8 MOSFET --场效应理论 1.8.1 MOS结构 1. 理想MOS结构 （1）金属栅足够厚 ,是等势体 （2）氧化层是完美的绝缘体无电流流过氧化层 （3）在氧化层中或氧化层-半导体界面没有电荷中心 （4）半导体均匀掺杂 （5）半导体足够厚，无论VG多大，总有零电场区域 （6）半导体与器件背面金属之间处于欧姆接触 （7）MOS电容是一维结构，所有变量仅是x的函数 （8）?M= ?S=?+(EC-EF)FB 金属-氧化物-半导体电容 栅 背接触或衬底接触 0.01~1.0?m 零偏压VG0（以P-Si衬底为例） 由分立能带图得到MOS能带图包括两个步骤； （a）将M和S放到一起相距为x0，达到平衡时，M和S的费米能级必须持平；因假设?m= ?S真空能级也必须对准。（在M-空隙-S系统的任何地方都没有电荷和电场） （b)将厚度为x0的绝缘体插入M与S之间的空隙。 理想p型MOS在不同偏置下的能带图和电荷块图 特殊偏置区域 VG0 ,在O-S界面附近的空穴浓度大于半导体体内的浓 度，称为“积累”。 VG0, (较小负偏置），空穴的浓度在O-S界面附近降低，称为空穴被“耗尽”，留下带负电的受主杂质。 若正偏电压越来越大，半导体表面的能带会越来越弯曲，在表面的电子浓度越来越多，增加到ns=NA, VG=VTH时，表面不再耗尽 VGVTH时, 表面少数载流子浓度超过多数载流子浓度，这种情况称为“反型”。 ? N沟道增强型MOS场效应管结构 1.8.2（增强型）MOS场效应管 漏极D 源极S 栅极G 衬底B 电极—金属 绝缘层—氧化物 基体—半导体 因此称之为MOS管 当VGS较小时，虽然在P型衬底表面形成一层耗尽层，但负离子不能导电。 当VGS=VTH时, 在P型衬底表面形成一层电子层，形成N型导电沟道，在VDS的作用下形成ID。 VDS ID + + - - + + - - + + + + - - - - VGS 反型层 当VGS=0V时，漏源之间相当两个背靠背的PN结，无论UDS之间加上电压不会在D、S间形成电流ID,即ID≈0. 当VGSVTH时, 沟道加厚，沟道电阻减少，在相同VDS的作用下，ID将进一步增加 开始无导电沟道， 当在VGS?VTH时才形 成沟道,这种类型的管 子称为增强型MOS管 1.8.3 MOSFET工作原理的定性分析 VT VGS /V ID /mA O （1）转移特性曲线(假设VDS=5V) a. VGS VT 器件内不存在导电沟道，器件处于截止状态，没有输出电流。 b. VGS VT 器件内存在导电沟道，器件处于导通状态，有输出电流。且VGS越大，沟道导电能力越强，输出电流越大 转移特性曲线 * N 沟道增强型 MOS 场效应管的特性曲线 （2）输出特性曲线(假设VGS=5V) 输出特性曲线 非饱和区 饱和区 击穿区 BVDS ID/mA VDS /V O VGS=5V VGS=4V VGS=3V 预夹断轨迹 VDSat 过渡区 线性区 (d)VDS???:VGDVT B P N+ N+ VDS VGS G S D LL VT VGS VGD (b)VDS?: VGDVT B P N+ N+ VDS VGS G S D VGS VGD (c)VDS??:VGD=VT B P N+ N+ VDS VGS G S D VGS VT (a)VDS很小 VGS B P G N+ N+ S D VDS VGS VGD≈VGS ID=IDSat * 饱和电流IDsat，对应的VDS称为V