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石墨烯的电动可调横向磁聚焦摘要：由于原子核的作用，宏观距离下尽管存在非均匀的库仑势，电子在周期性晶格可以无散射传播。这样电子的弹道运动允许使用一个的横向磁场去聚焦电子。这种现象被称为横向磁聚焦（TMF），已经被用于研究金属的费米面，半导体的异质结构，以及探索安德烈夫反射，自旋轨道的相互作用，和检测复合费米子。这里我们报道在高迁移率的单层、双层以及三层石墨烯器件中的TMF实验观察现象。调节石墨烯载流子密度使我们可以不断的研究从空穴到电子区域中的TMF现象与研究聚焦结果。此外，通过在三层石墨烯器件中应用横向电场，我们利用TMF作为一个但到电子光谱分析方法去研究材料电子结构中的受控电子。最终，我们发现在石墨烯中，TMF现象可以存活至300K，是至今为止任何系统中报道的最高温度，为基于室温的电子光学应用打开了大门。TMF的概念可以考虑电子通过一个狭窄的注入器而进入一个二维系统来说明（图1a）。由于磁场B的存在，电子将会经历半径为Rc的回旋运动，而聚焦在散焦曲线上（一个半径为2Rc的四分之一圆），在这里电子密度变的奇异（图1a上）。此外，二维系统边界电子的镜面反射，会产生一个跳过轨道的运动，导致在X轴上产生2Rc整数倍的焦点（图1a下）。这样的基本行为仍然适用于固体中的电子运动，只要费米面有圆柱对称。因此，磁场Bf会聚焦电子在距离L处，这里p-1是系统边界反射掉的数量（例如：p=1相当于没有反射直接从注入器到集电极），h是简化普朗克常量，e是元电荷，Kf是费米动量，n是载流子密度，gs=gv=2分别是自旋简并和能谷简并，因于是负密度，磁场Bf的方向在载流子电性变化时也必须反转。去研究石墨烯中的TMF现象，我们在六方氮化硼衬底上制造出基于单层，双层，三层高迁移率石墨烯的Hall bar器件（Methods和图1c）。图1d显示了单层石墨烯器件在零磁场下的电阻率和密度的函数曲线。在低温条件下，它的场效应迁移率在100,000cm2V-1s-1，相应于1um的平均自由程。同样的现象也在双层，三层的石墨烯器件中被发现。高迁移率和低扰动使我们可以在这些器件中观察到TMF现象。我们使用图1c显示的测量结构去探测聚焦电子（Methods）。图1e显示了归一化的集电极电压Vc（b,n），通过在5K温度下注入电流Ii。当时，我们观察到Shubnikov-de Hass震荡（SdHOs），与普遍的纵向电阻测量方法预期结果一样。但是，在1,3象限，SdHOs几乎是看不到的，因为不同轨道电子的干扰连续的传输到集电极（Supplementary Information）。当时，我们观察到三个不寻常不像SdHOs的峰值点。在B-n面上这些峰值点的位置表明这是和TMF现象有关的（等式1）。当这些电子聚焦在集电极上时，这些峰值点会上升，使得Vc建立。第一个峰值点对应于电子直接从注入点到集电极，然而对于后续的峰值，电子通过反射到达集电极。（图1e）对于正密度，正向磁场B使载流子引向集电极，而负的磁场B使载流子远离，导致没有聚焦峰值。（图1e）对于负密度，载流子的符号翻转，因此磁场B也必须翻转使载流子汇集到集电极上。在石墨烯中可以不断的通过调节从电子区域到空穴区域载流子密度的能力使我们可以研究聚焦域或者范围的依赖性。磁场Bf的值可以被很容易的测得，因为n和L都可以分别用Hall法和AFM得到。图2a是图1e放大后的图，这里通过测量过的LMLG=500 nm，我们叠加了计算后的聚焦域（虚线）。可以明显看出一个计算值和测量出的峰值点之间的差异。此外，我们发现当p值增加时Bf(p)/p减小（Supplementary Information）。这里我们的注入集和集电极的有限宽度（单层和双层100nm，三层240nm）可能会引入一个在L以及Bf上的误差。然而，一个更合理的解释是由于石墨烯器件的有限尺寸导致的电荷在边缘的积累效果。我们发现电荷的积累会减少Bf的值。这也解释了减小的Bf(p)/p，因为对于更高的p值，载流子的轨道更接近边缘，这将进一步减小Bf的值（Supplementary Information）。Bf在空间上密度不同的影响也被讨论是在异质结内他们soft-wall potential的结果。由于杂质产生的密度波动和小角度的散射同样会影响载流子的路径和Bf，但是缺少详尽的电势图使我们也没有办法进行定量分析。包括双层和三层的器件在内，我们在所有的器件中观察到了多样的聚焦点，这表明一部分重要的电子在石墨烯的边缘受到了镜面反射。这样观测到的镜面反射，第一个峰值与第二个直接的比例，为电子在石墨烯边缘的镜面反射提供了信息。我们发现高光范围从0.2到0.5（Supplementary Information）。值得注意的是，在半导体异质结里的高光测量显示了对于聚焦离子束刻蚀的器