第九章 MEMS封装讲述.pptVIP

又称静电键合，这种技术将玻璃与金属或硅等半导体键合起来，不用任何粘合剂，键合界面气密性和稳定性很好。一般的键合条件：硅片接阳极，玻璃接阴极，温度为300-4000C，偏压500-1000V。 要形成良好的键合，硅片和玻璃的表面粗糙度要尽可能小，表面颗粒尽可能少，并且两种圆片的材料热膨胀系数相近，硅片上氧化层需要小于0.2μm。 这种技术可以在真空下进行，是当前比较流行的一种封装方式。 (2)阳极键合(anodic bonding) 中间层辅助键合是近年来研究的一个热点，它基本上不依赖于衬底的材料，可以方便的实现不同材料圆片的粘接。按中间层使用的材料不同，可以分为以下三种： 1)共晶键合 其代表为金硅键合，它利用金硅共晶点低的特点，以金作为中间层实现圆片间的键合，具有较好的气密性和强度。金硅合金的共晶点为3630C，此时硅与金的原子个数比约为20%：80%。 要形成良好的键合，一方面必须尽量减小硅片表面氧化层的厚度，另一方面还需要调整金的厚度，优化键合参数，提高工艺的重复性，避免在界面形成金硅化合物颗粒 (3)中间层辅助键合(intermediate layer bonding) 2)不导电材料键合 中间层可以是苯丙环丁稀(BCB)、聚酰亚胺(polyimide)、SU-8胶、甚至AZ系列厚胶。优点是温度低，与MEM