Array工艺原理及工程检查-CVD综述.pptVIP

P-CVD基础 CONTENS PCVD基础 工艺要求特性 PCVD检查项目 PCVD管理技术 PCVD基础 PCVD原理 PCVD装置构造 PCVD成膜基础 能量损失因子 粒子m1和粒子m2相互发生弹性碰撞，根据动量守恒和能量守恒定律，可以得到粒子m1在碰撞种损失的能量比例为 所以电子在碰撞种损失的能量最小，而粒子在碰撞种损失的能量较大。 CVD (Chemical Vapor Deposition )化学气相沉积 借由气体混合物发生的化学反应，包括利用热能、电浆(Plasma)或紫外光照射等方式，在基板表面上(Substrate)表面上沉积一层固态化合物的过程 重要观念 经由化学反应或热分解 薄膜的材料源由外加气体供给 制程反应物必须为气相的形式 分类 等离子体中的反应 电子在电场作用下，温度一般可以达到10万℃，这时和分子碰撞导致发生如下反应： 非晶硅的生长原理 PCVD装置构造 Gas dissociation and combination 成膜基础 在多层膜成膜工艺中最重要的是薄膜间的界面处理，通常采用过渡层的思想来解决。比如，TFT中a Si和金属Cr的接触势垒较大，所以引入n+层降低接触电阻。同样G-Mo/Al采用两层金属结构，也是因为Mo和ITO的接触电阻很小。非晶硅采用低速/高速结构也是利用低速非晶硅