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课程总结 2009.6 绪论 1.微电子技术发展历史（了解） 2.摩尔定律（熟悉） 3.等比例缩小定律（熟悉） 4.集成电路工艺的两个特有工艺（熟悉） ①隔离扩散 ②埋层扩散 5.集成电路工艺的最新发展（了解） ①光刻工艺：最小特征尺寸；②Si片：最大尺寸； ③互连线 第一章 衬底制备 1.1 衬底材料 1.1.1 衬底材料的类型（熟悉） 1. 元素半导体2. 化合物半导体3. 绝缘体 重点：Si的特性及在工艺中的用途 1.1.2 对衬底材料的要求（了解） 1.1.3 起始材料及多晶硅的制备（了解） 1.2 单晶的制备 1.2.1 直拉法（熟悉） 1.2.2 悬浮区熔法（了解） 1.2.3 水平区熔法（了解） 1.3 衬底制备 1.3.1 晶体定向（了解） 1. 光图像定向法 2. X射线衍射法 1.3.2 晶面标识（了解） 作用：1.主参考面2.次参考面 1.3.3 晶片加工（了解） 1.切片2.磨片3.抛光:重点是CMP 第二章 氧化 基本概念及术语（掌握） 桥键氧与非桥键氧，网络形成剂与网络调节剂，干氧、湿氧及水汽氧化，分凝系数，可动离子电荷Qm、界面陷阱电荷（界面态）Qit、氧化层固定电荷Qf、 氧化层陷阱电荷Qot SiO2在工艺中的作用（掌握） a.杂质扩散掩蔽膜b.器件表面保护或钝化膜c.