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- 2016-12-31 发布于北京
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第5章 第5章:半导体存储器及其接口 教学重点 第5章:5.1 半导体存储器概述 第5章:5.1.1 半导体存储器的分类 第5章:图5.1 半导体存储器的分类 第5章:⑴读写存储器RAM 第5章:⑵只读存储器ROM 掩膜ROM:信息制作在芯片中,不可更改 PROM:允许一次编程,此后不可更改 EPROM:用紫外光擦除,擦除后可编程;并允许用户多次擦除和编程 EEPROM(E2PROM):采用加电方法在线进行擦除和编程,也可多次擦写 Flash Memory(闪存):能够快速擦写的EEPROM,但只能按块(Block)擦除 第5章:5.1.2 半导体存储器芯片的结构 第5章:①存储体 每个存储单元具有一个唯一的地址,可存储1位(位片结构)或多位(字片结构)二进制数据 存储容量与地址、数据线个数有关: 芯片的存储容量 =存储单元数×存储单元的位数=2M×N M:芯片的地址线根数 N:芯片的数据线根数 第5章:②地址译码电路 第5章:③片选和读写控制逻辑 片选端CS*或CE* 有效时,可以对该芯片进行读写操作 输出OE* 控制读操作。有效时,芯片内数据输出 该控制端对应系统的读控制线 写WE* 控制写操作。有效时,数据进入芯片中 该控制端对应系统的写控制线 第5章:5.2.1 静态RAM SRAM的基本存储单元是触发器电路 每个基本存储单元存储二进制数一位 许多个
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