《模拟电子技术基础第2章.pptVIP

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2016-12-31 发布于北京
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《模拟电子技术基础第2章

其中 PN结的伏安特性 IS ——反向饱和电流 VT ——温度的电压当量且在常温下（T=300K） 2.2.2.3 PN结的I-V方程 PN结的电压和电流之间的关系为： Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. PN结的伏安特性曲线如图所示。处于第一象限的是正向伏安特性曲线，处于第三象限的是反向伏安特性曲线。正向偏置： U0.1 反向偏置： |u|0.1 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 2.2.3 PN结的反向击穿当PN结的反向电压增加到一定数值时，反向电流突然快速增加，热击穿——不可逆雪崩击穿齐纳击穿电击穿——可逆此现象称为PN结的反向击穿。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 2.2.3 PN结的击穿特性 1、雪崩击穿 PN结的反向电压大于某一值( )时,反向电流突然剧增，这种现象称为PN结的击穿发生击穿所需的电压称为击穿电压（UBR）低参杂、高电压 2、齐纳击穿高参杂、低电压 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 1、雪崩击穿反向电压少子动能少子速度碰撞共价键中电子产生自由电子电流剧增条件：低参杂、高电压（耗尽区宽碰撞机会多）对硅材料： Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 2、齐纳击穿条件：高掺杂、低电压（耗尽区窄，低电压产生强电场）对硅材料：低电压产生强电场产生空穴电子对电流剧增耗尽区窄拉出共价键中电子 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 2.2.4 PN结的电容效应 PN结具有一定的电容效应，它由两方面的因素决定。一是势垒电容CB ，二是扩散电容CD 。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. (1) 势垒电容CB 势垒电容是由空间电荷区的离子薄层形成的。势垒电容示意图当外加电压使PN结上压降发生变化时，离子薄层的厚度也相应地随之改变，这相当PN结中存储的电荷量也随之变化，犹如电容的充放电。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. (1) 势垒电容CB 随着外加电压的变化离子薄层的厚度的变化情况。外加反向电压高外加正向电压低 u=0时的 n ：为变容指数为内建电位差 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 扩散电容是由多子扩散后，在PN结的另一侧面积累而形成的。 (2) 扩散电容CD 反之，由P区扩散到N区的空穴，在N区内也形成类似的浓度梯度分布曲线。