半导体a谱仪实验报告.docVIP

实验6：半导体谱仪谱仪的工作原理及其特性。 掌握应用谱仪测量粒子能谱的方法。 测定241Am核素的衰变的相对强度。 内容 调整谱仪参量，测量不同偏压下的粒子能量，并确定探测器的工作偏压。 测定谱仪的能量分辨率，并进行能量刻度。 测量未知源的能谱，并确定粒子能量。 原理 半导体谱仪的组成如图1所示。 ），接近金膜的那一层硅具有P型硅的特性，这种方式形成的PN结靠近表面层，结区即为探测粒子的灵敏区。探测器工作加反向偏压。粒子在灵敏区内损失能量转变为与其能量成正比的电脉冲信号，经放大并由多道分析器测出幅度的分布，从而给出带电粒子的能谱。偏置放大器的作用是当多道分析器的道数不够用时，利用它切割、展宽脉冲幅度，以利于脉冲幅度的精确分析。为了提高谱仪的能量分辨率，探测器要放在真空室中。另外金硅面垒探测器一般具有光敏的特性，在使用过程中，应有光屏蔽措施。 金硅面垒型半导体谱仪具有能量分辨率高、能量线性范围宽、脉冲上升时间快、体积小和价格便宜等优点，在粒子及其它重带电粒子能谱测量中有着广泛的应用。 带电粒子进入灵敏区，损失能量产生电子空穴对。形成一对电子空穴所需的能量，与半导体材料有关，与入射粒子的类型和能量无关。对于硅，在300K时，为3.62eV，77K时为3.76eV。对于锗，在77K时为2.96eV。若灵敏区的厚度大于入射粒子在硅中的射程，则带电粒子的能量E全部损失在其中，产生的总电荷量Q等于。为产生的电子空穴对数，e为电子电量。由于外加偏压，灵敏区的电场强度很大，产生的电子空穴对全部被收集，最后在两极形成电荷脉冲。通常在半导体探测器设备中使用电荷灵敏前置放大器。它的输出信号与输入到放大器的电荷量成正比。 探测器的结电容是探测器偏压的函数，如果核辐射在探测器中产生电荷量为Q，那么探测器输出脉冲幅度是。因此，由于探测器偏压的微小变化所造成的变化将影响输出脉冲的幅度。事实上，电源电压的变化就可以产生偏压近种微小变化。此外，根据被测粒子的射程调节探测器的灵敏区厚度时，也往往需要改变探测器的偏压。要减少这些变化对输出脉冲幅度的影响，前级放大器对半导体探测器系统的性能越着重要的作用。图2表示典型探测器的等效电路和前置放大器的第一级。其中一K是放大器的开环增益，是反馈电容，是放大器的总输入电容，它等于是放大器插件电缆等寄生电容。前置放大器的输入信号是，它的等到效输入电容近似等于，只要，那么前置放大器的输出电压为 （ 1 ） 这样一来，由于选用了电荷灵敏放大器作为前级放大器，它的输出信号与输入电荷Q成正比，而与探测器的结电容无关。 确定半导体探测器偏压 对N型硅，探测器灵敏区的厚度和结电容与探测器偏压的关系如下： （ 3 ） 其中为材料电阻率（。因灵敏区的厚度和结电容的大小决定于外加偏压，所以偏压的选择首先要使入射粒子的能量全部损耗在灵敏区中和由它所产生的电荷完全被收集，电子空穴复合和陷落的影响可以忽略。其次还需考虑到探测器的结电容对前置放大器来说还起着噪声的作用。电荷灵敏放大器的噪声水平随外接电容的增加而增加，探测器的结电容就相当它的外接电容。因此提高偏压降低结电容可以相当它的外接电容。因此提高偏压降低电容可以相当地减少噪声，增加值号幅度，提高信噪比，从而改善探测器的能量分辨率。从上述两点来看，要求偏压加得高一点，但是偏压过高，探测器的漏电流也增大而使分辨率变坏。因此为了得到最佳能量分辨率，探测器的偏压应选择最佳范围。实验上最佳能量分辨率可通过测量不同偏压下的谱线求得。如图3所示。并由此实验数据，分别作出一组峰位和能量分辨率对应不同偏压的曲线如图4、图5。分析以上结果，确定出探测器最佳偏压值。 2. 谱仪的能量刻度和能量分辨率 谱仪的能量刻度就是确定粒子能量与脉冲幅度大小以谱线峰位在多道分析器中的道址表示。谱仪系统的能量刻度有两种方法： 用一个239Pu、241Am、244Cm混合的刻度源，已知各核素粒子的能量，测出该能量在多道分析器上所对应的道址，作能量对应道址的刻度曲线，并表示为： （ 4 ） E为粒子能量（keV）。为对应E谱峰所在道址（道）。G是直线斜率（keV/每道），称为刻度常数。是直线截距（keV）。它表示由于粒子穿过探测器金层表面所损失的能量。 一个已知能量的单能源，配合线性良好的精密脉冲发生器来作能量刻度。这是在源种类较少的实验条件下常用的方法。0.1%左右。 谱。根据能量刻度曲线就可以确定粒子的能量。常用谱仪的刻度源能量可查核素常用表。 谱仪的能量分辨率也用谱线的半宽度FWHM表示。FWHM是谱线峰最大计数一半处的宽度，以keV表示。在实用中，谱仪的能量分辨率还用