第6章半导体器件基础精选.ppt

Publishing House of Electronics Industry 第6章 半导体器件基础 小 结 半导体的电阻率约在（10-4～1010）?·m之间，它受温度、光照影响很大，可通过掺杂而改变其导电性能。 纯净的又以晶体结构存在的半导体称本征半导体，存在两种载流子，总体仍然是电中性。掺入少量的杂质元素构成了P型半导体或N型半导体。 PN结外加电压，呈现出单向导电性。PN结外加封装并引出两根引线就成了半导体二极管。 半导体二极管应用广泛，可以整流、检波、电子开关。 Publishing House of Electronics Industry 第6章 半导体器件基础 半导体三极管是由两个PN结构成的电流控制型半导体器件，当其发射结正偏，集电结反偏时，基极电流变化ΔIB能引起集电极电流变化量ΔIC。二者之比 ，叫做三极管的电流放大系数。其特性曲线和参数是分析三极管工作状态和选用三极管的主要依据，分输入特性和输出特性。输出特性曲线存在三个区域：放大区、截止区和饱和区。 场效应管是利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，其优点：体积小、重量轻、寿命长、内阻高，便于大规模集成。与半导体三极管的一一对应关系是：栅极--基极、源极--发射极、漏极--集电极。不同的场效应管对电源极性有不同的要求。 21世纪高职、高专计算机类教材系列 ? ? 电路与模拟电子技术教程 （第三版） 第六章 半导体器件基础 ?? 左全生 主编 Publishing House of Electronics Industry Publishing House of Electronics Industry 第6章 半导体器件基础 本章要点 半导体基本知识 半导体二极管 半导体三极管 绝缘栅场 Publishing House of Electronics Industry 第6章 半导体器件基础 6.1 半导体基本知识 6.1.1 半导体及其特点 热敏性 光敏性 杂敏性 6.1.2 本征半导体 本征半导体就是纯净(不含杂质)且具有完整晶体结构的半导体。 对共有价电子所形成的束缚作用叫做共价键。 Publishing House of Electronics Industry 第6章 半导体器件基础 可以参与导电的带电粒子，称为载流子。 图6.1.1 硅晶体平面结构示意图 图6.1.2 自由电子-空穴对的产生 自由电子和空穴总是相伴而生、成对出现的，称为自由电子-空穴对。 Publishing House of Electronics Industry 第6章 半导体器件基础 6.1.3 N型半导体 N 型半导体是在本征半导体硅晶体内掺入微量的五价元素磷构成。 自由电子数远超过空穴数，以电子导电为主的杂质半导体为电子型半导体( N型半导体)。 自由电子是多数载流子，简称多子。 空穴是少数载流子，简称少子。 在N型半导体中，整个晶体呈电中性。 Publishing House of Electronics Industry 第6章 半导体器件基础 6.1.4 P型半导体 P型半导体是在本征半导体硅晶体内掺入微量的三价元素硼构成。 以空穴导电为主的半导体，称为空穴型半导体(P型半导体)。 空穴是多数载流子，自由电子是少数载流子。整个晶体呈电中性。 图6.1.3 N型半导体结构示意图 图6.1.4 P型半导体结构示意图 Publishing House of Electronics Industry 第6章 半导体器件基础 6.2 PN结与半导体二极管 6.2.1 PN结的形成 通过掺杂工艺，使一块完整的半导体晶片的一边为P型半导体，另一边为N型半导体，两种半导体的交界处形成一个具有特殊物理性质的带电薄层，称为PN结。 交界处两侧，因浓度差作用产生的定向运动称为多子的扩散运动。 带异性电荷的薄层，称为空间电荷区，或称为PN结。 空间电荷区内部电荷产生一个电场，称为内电场。 Publishing House of Electronics Industry 第6章 半导体器件基础 图6.2.1 多数载流子的扩散运动 图6.2.2 空间电荷区 Publishing House of Electronics Industry 第6章 半导体器件基础 6.2.2 PN结的单向导电性 图6.2.3 PN结加正向电压 图6.2.4 PN结加反向电压 PN结外加正向电压时(又称正向偏置)，正向电阻较小