第七章MOS场效应晶体管精选.ppt

微电子器件原理 第七章 MOS场效应晶体管 第七章 MOS场效应晶体管 §7.1 基本结构和工作原理 §7.2 阈值电压 §7.3 I-V特性和直流特性曲线 §7.4 频率特性 §7.5 功率特性和功率MOSFET结构 §7.6 开关特性 §7.7 击穿特性 §7.8 温度特性 §7.9 短沟道和窄沟道效应 2.强反型条件 2.强反型条件 上述4种电荷的作用统归于Qox——等效电荷 电荷本身与半导体表面的距离不同，对表面状态的影响也不同。距离越近，影响越强。故等效为界面处的薄层电荷 由VT、Qox及N的共同作用使器件呈增强型或耗尽型 对n-MOS：Qox若较大，则易为耗尽型。欲得增强型，需控制Qox，并适当提高衬底浓度 对p-MOS：VT总是负值，易为增强型。欲得耗尽型，需采用特殊工艺或结构，如制作p预反型层，或利用Al2O3膜的负电荷效应，制作Al2O3 /SiO2复合栅等。 与双极器件相比： MOSFET为多子器件，因其沟道迁移率随温度上升而下降，在大电流下沟道电流具有负的温度系数。这种电流随温度上升而下降的负反馈效应使MOS器件不存在电流集中和二次击穿的限制问题。 在小信号下，MOS器件的输出电流id与输入电压ug呈线性关系，而双极型器件电流与电压呈指数关系变化。故其可在足够宽的电流范围内用作线性放大器。 MOS器件输入阻抗高，作功率开关时需要的驱动电流小，转换速度