第3章结型光电器件--自己做的讲述.ppt

第3章 结型光电器件 概述：半导体结型光电器件是利用光生伏特效应来工作的光电探测器件。 结型光电器件包括光电池、光电二极管、光电晶体管、PIN光电二极管、雪崩光电二极管、光可控硅、象限式光电器件、位置敏感探测器（PSD）、光电耦合器件等。按结的种类不同，可分为PN结型，PIN结型和肖特基结型等。 3.1 结型光电器件工作原理 3.1.1.热平衡状态下的P-N结 在热平衡条件下，PN结中净电流为零。如果有外加电压时结内平衡被破坏，这时流过PN结的电流方程为 3.1.2.光照下的p-n 结 1.PN结光伏效应 PN结受光照射时，就会在结区产生电子-空穴对。受内建电场的作用漂移少数载流子，最后在结区两边产生一个与内建电场方向相反的光生电动势，形成光生伏特效应。 两种工作模式:光伏工作模式（无偏置）和光电导工作模式（反偏置状态）。 2.光照下PN结的电流方程 当负载电阻RL断开(IL＝0)时，p端对n端的电压称为开路电压，用Voc表示。 IpI0 当负载电阻短路(即RL=0)时，光生电压接近于零，流过器件的电流叫短路电流，用Isc表示。SE为光电灵敏系数。 图3-1 光照PN节工作原原理图 图3-2 等效电路图 图3-3为光照PN节连接负载后的伏安特性曲线。其中，第一象象限为二极管无光照时正向导通工作时的伏安特性曲线。第三象限为二极管在光照条件下反向偏置工作时的伏安特性曲线，第四象限为二极管在光照条件下利用光生伏特效应工作时的伏安特性曲线。 图3-3 光照PN节连接负载后的伏安特性曲线 3.2 硅光电池 光电池的主要功能是在不加偏置的情况下能将光信号转换成电信号。按用途光电池可分为太阳能光电池和测量光电池 光电池是一个PN结，根据制作PN结材料的不同分成四种。硅光电池按结构示意图如图3-4，符号如图3-5，电极结构如图3-6。 工作原理如图3-7。硅光电池的电流方程： 图3-4 光电池结构示意图 图3-5 光电池符号 图3-6 光电池电极结构 图3-7 硅光电池工作原原理图 3.2.2.硅光电池的特性参数 1.光照特性 光照特性主要有伏安特性、照度-电流电压特性和照度-负载特性。 硅光电池的伏安特性，表示输出电流和电压随负载电阻变化的曲线。 图3-8 硅光电池伏安特性曲线 图3-8为硅光电池伏安特性曲线。由公式可得，硅光电池的电流的电流方程式。令E=0可得没有光照情况下硅光电池的电流。 当IL＝0时，RL=∞(开路)时，光电池的开路电压，以Voc表示。当Ip远大于Io时可近似计算 式中，SE表示光电池的光电灵敏度，E 表示入射光照度。可知光电池短路电流与入射光照度成正比，如图3-9。开路时与入射光照度的对数成正比。 图3-9 硅光电池的Uoc、Isc与照度的关系 图3-10 硅光电池光照-负载特性 2.光谱特性 硅光电池的光谱响应特性表示在入射光能量保持一定的条件下，光电池所产生的短路电流与入射光波长之间的关系，一般用相对响应表示。 在线性测量中，不仅要求光电池有高的灵敏度和稳定性，同时还要求与人眼视见函数有相似的光谱响应特性。图3-11是2CR型硅光电池的光谱曲线。图3-12为集中光电池的光谱响应曲线，类似于视觉函数。 3.频率特性 下图是硅光电池的频率特性曲线。由图可见，负载大时频率特性变差，减小负载可减小时间常数τ，提高频响。但是负载电阻RL的减小会使输出电压降低，实际使用时视具体要求而定。 图3-11 硅光电池光谱响应曲线 图3-12 硅光电池的光谱响应曲线 图3-13 硅光电池的频率响应曲线 4．温度特性 光电池的温度特性曲线主要指光照射时它的开路电压Voc与短路电流Isc随温度变化的情况。光电池的温度曲线如图3-14所示。 它的开路电压Voc随着温度的升高而减小，其值约为2～3mV／oC；短路电流Isc随着温度的升高而增大，但增大比例很小，约为10-5～10-3mA/oC数量级。 图3-14 硅光光电池的温度曲线 3.3 硅光电二极管和硅光电三极管 光电二极管是基于PN结的光电效应工作的，它主要用于可见光及红外光谱区。光电二极管通常在反偏置条件下工作，也可用在零偏置状态。 制作光电二极管的材料有硅、锗、砷化镓、碲化铅等，目前在可见光区应用最多的是硅光电二极管。 3.3.1.硅光电二极管结构及工作原理 硅光电二极管的结构和工作原理与硅光电池相似，不同的地方是：①衬底材料的掺杂浓度低于光电池；②硅光电二极管电阻率远高于光电池③光电池在零偏置下工作