自控第四章x.pptVIP

§4 根轨迹法 §4-2根轨迹的绘制法则 例6 绘制右图以Kp为参变量的根轨迹 KP(1+0.6s) R(s) 令 Kg=0.6Kp （1）起点，-0.25,-1 终点：-1.67,-∞ jw 解： §4-2根轨迹的绘制法则 （3）实轴根轨迹:[-1,-0.25],[-∞,-1.67] （4）渐近线:(2k-1)π/(2-1)=180° （5）实轴交点: （6）走向：复平面根轨迹是一以开环零点-1.67为圆心，以-1.67为分离点-0.695的距离为半径的圆 三、典型自控系统根轨迹 §4-2根轨迹的绘制法则 1.二阶系统 其中Kg=Kk/T 绘制根轨迹 （1）起点、终点 （2）实轴上的根轨迹分支 （3）分离点 （4）渐进线 分析： ①等 线 已知二阶系统特征根在 s复平面的分布 §4-2根轨迹的绘制法则 绘制 时 的等 线，即 ②当 时的根轨迹放大系数 §4-2根轨迹的绘制法则 §4-2根轨迹的绘制法则 2.开环具有零点二阶系统 绘制根轨迹：（取a=1） ①起点：0，-0.2 终点：-1， ②实轴上的根轨迹分支 ③分离点，会合点 复平面根轨迹可由辐角条件证明是个圆，这样增加零点改变了 系统品质。 §4-2根轨迹的绘制法则 证明：根据辐角条件： 在根轨迹上任取一点s 令 即 利用反正切公式 §4-2根轨迹的绘制法则 结论：任意带一开环零点的二阶系统，若复平面存在根轨迹，则它一定是一个以开环零点为圆心的圆或圆的一部分。 §4-2根轨迹的绘制法则 所以，上式可得 等号两边同时取正切，得 复平面上的根轨迹是一以零点为圆心，以分离点（或会合点）到零点的距离为半径的圆。 3.三阶系统 二阶系统再加一个极点 §4-2根轨迹的绘制法则 (1)起终点 (2)实轴上根轨迹分支 (3)分离点 a=4时 (4)渐近线 a=4时 (5)与虚轴交点 结论：二阶系统附加极点，Kg↑根轨迹将穿过虚轴系统趋于不稳定。 §4-2根轨迹的绘制法则 §4-2根轨迹的绘制法则 (1)起终点，分支数，实轴 (2)渐近线:±90° (3)取τd=4T,ξ=1/2 作 ξ=1/2的阻尼线与根轨迹交点: 由代数方程:R1+R2+R3=p1=1/T 得-R3=-1/(2T) 4.开环具有零点三阶系统： 二阶加一极点一零点 §4-2根轨迹的绘制法则 等 线 渐进线 三阶工程最佳 （4） §4-2根轨迹的绘制法则 §4-2根轨迹的绘制法则 (1)起终点，分支数， 实轴上 (2)渐近线 φ=-60°，180°，-σk=-1 (3)出射角 βsc1=-26.6° (4)与虚轴交点 s=±j1.61 , (5)由根与系数关系: 5.具有复极点的四阶系统 §4-2根轨迹的绘制法则 §4-2根轨迹的绘制法则 根轨迹方程 特征根： 6.延迟环节（时滞环节）系统 对系统稳定性不利 (τ滞后时间常数) §4-2根轨迹的绘制法则 幅值条件: 辐角条件: 特点：特征根无限多个，根轨迹分支数无限多条。 （1）当|τs|很小时  绘制方法同前 §4-2根轨迹的绘制法则 （2）当|τs|较大时 ①起点: –pi,-∞, 终点;-zi,+∞ ②分支数:无穷多条，对称性：对称于实轴。 ③实轴上；由 ω=0 可知绘制规则不变 ④分离汇合点；仍可按dKg/ds=0计算 ⑤渐近线：当Kg→∞时σ→∞，所有有限开环零极点到σ的矢量幅角都等于0，故渐近线为水平线。由幅角条件知 （2k+1）π-τω=0与虚轴交于ω=(2k+1)π/τ §4-2根轨迹的绘制法则 ⑥出射角与入射角 当Kg=0时σ→-∞所有有限开环零极点到σ矢量幅角都等于π，故渐近线仍为水平线只是交点由 (2k+1)π-τω=(m-n)π， ,|m-n|为奇数, |m-n|为偶数 ⑦与虚轴交点：令s=jω由幅角条件求得ωl §4-2根轨迹的绘制法则 ⑧复平面上的根轨迹（作图法）；