李建军-半导体器件模拟及数值分析第四章晶体管的模拟要素.pptVIP

2.计算结果与器件内部的现象 二、计算结果 C 集电结高反偏置 当集电极偏置电压VBC=-10V时，载流子和电场的分布分别示于图4-6和图4-7。由图可见电子浓度在集电结耗尽层内发生显著变化，特别是在低发射结偏压时。由于集电结偏压较高，集电结要比图4-4所示的宽度宽，因此电子浓度最小值有一平坦的波形。 此外，从小注入向大注入的过渡---即耗尽层充满电子和空穴的过程发上在VBE=0.84V，比此前的0.76V大。 计算举例 小注入 大注入 VBE=0.5~0.9V, VBC=-10V时载流子分布 图4-6a 计算举例 电子浓度在集电结耗尽层内发生显著变化，特别是在低发射结偏压时。 计算举例 由于集电结偏压较高，集电结要比图4-4所示的宽度宽，因此电子浓度最小值有一平坦的波形。 基区电场分布 图4-6b 计算举例 集电区电场分布 图4-6c 计算举例 2.计算结果与器件内部的现象 二、计算结果 D 发射结反偏置 图4-7给出了反向有源状态时载流子的分布情况。发射结反向偏置VBE=-1V，而集电结正向偏置，范围VBC=0.4~0.9V。 计算结果（续） VBC=0.4~0.9V, VBE=-1V时载流子分布 图4-7 对于所有的集点结偏压，图4-7表明从集电区注