《CMOS工艺要点》PPT课件.pptVIP

* 其他工艺步骤 测试以及检测步骤. 光刻、腐蚀之后的条宽测试控制。 膜层生长之后的膜厚测量控制。 掺杂、推结等之后的电阻测试监控。 在有源区、多晶、孔、AL等关键步骤之后的颗粒和缺陷监控。 产品最终的参数测试。参数测试的图形与管芯是同时完成的。 * 图片（一） 场氧鸟嘴 N阱、P阱台阶 有源区 back * 有源区照片（二） 返回 * Poly only Double Poly Polycide 图片（三） 返回 * 不同源漏结构的截面图（图片四） P-衬底 N+ N+ POLY栅 N- N- N- N+ N+ POLY栅 N- P-衬底 N+ N+ POLY栅 P-衬底 图一：传统的漏结构 图二：双扩散漏结构 图三：轻掺杂漏结构 返回 * 图片（五） 孔 介质回流后形貌 返回 * 图片（六） Via Ar fillet Barrier Al 返回 * 常见钝化层异常（七） 返回 2001-10-01 * * CMOS工艺集成要点 生产制造部各区域的划分 工艺区域的划分： 光刻部：负责光刻工艺，即通过涂胶、曝光、显影等步骤在硅片上形成各层光刻图形 腐蚀部：负责腐蚀工艺，通过干法腐蚀、湿法腐蚀、去胶清洗等工艺实现各种图形和走线 扩散部：负责热氧化、掺杂、LPCVD工艺