半导体物理学答案 第二章.docVIP

金属-半导体接触 用不同波长的光照射置于真空中的金、银、铜三种金属和施主浓度皆为1×1016cm-3的锗、硅、砷化镓三种半导体的清洁表面，欲使其向真空发射电子，求各自的激发光临界波长。计算时需要的相关参数见表5-1和5-2（下同）。 解：根据能量与波长关系：可得 金、银、铜三种金属的功函数分别为5.20eV 4.42eV 4.59eV 施主浓度皆为1×1016cm-3的锗、硅、砷化镓三种半导体的功函数分别为 4.31eV 4.25eV 4.17eV 对于金： 对于银： 对于铜： 对于锗： 对于硅： 对于砷化镓： 计算ND = 5×1016cm-3 的n-Si室温下的功函数。将其分别与铝、钨、铂三种金属的清洁表面相接触，若不考虑表面态的影响，形成的是阻挡层还是反阻挡层？分别画出能带图说明之。 解：设室温下杂质全部电离，则其费米能级由n0=ND=5(1015cm-3求得： 其功函数即为： 若将其与功函数较小的Al（WAl=4.18eV）接触，则形成反阻挡层，若将其与功函数 较大的Au（WAu=5.2eV）和Mo（WMo=4.21eV）则形成阻挡层。 用ND = 3×1015cm-3的 n-Si与金属Cr形成理想的肖特基势垒接触。求300K下该接触的肖特基势垒高度及接触电势差，以及在5V反偏压下的最大电场强度及势垒比电容。 解：室温下杂志强电离，费米能级为 代入数据计算可得： 因此半导体的功函数 接触电势差公式为： 肖特基势垒的高度： 在5V反偏压下 最大电场强度为 势垒比电容为 功函数为4.3eV的金属与电子亲合能为4.0eV的p型硅形成一个金－半接触，已知硅的受主浓度NA = 5×1016cm-3，T=300K。（a）计算肖特基势垒高度；（b）大致绘出零偏、正偏0.25V和反偏3V状态下的能带示意图。 解： (a)肖特基势垒的高度： (b)在零偏压下，室温下杂志强电离，费米能级为 代入数据计算可得： 施主浓度为1015cm-3的n型Si与Al接触，已知 Al的功函数为4.18eV，Si的电子亲合能为4.05eV。分别针对下述两种情况画出金(半接触能带示意图并标出半导体表面势的大小：（1）不考虑表面态影响；（2）若表面态密度很大，且表面态为电中性时的功函数为4.78eV。 解：(1) 不考虑表面态影响时 肖特基势垒的高度： 查表可知Si的功函数为Ws=4.31eV 因此势垒高度 (2)表面态使半导体的功函数变为： 代入数据可得 某金属与均匀掺杂的n-Si形成肖待基势垒接触，已知半导体一边的势垒高度qVD=0.6eV，ND＝5(1015cm-3，试求在5V反偏电压下的阻挡层厚度、最大电场强度以及单位面积的势垒电容，并画出该接触的1/C2对（VD(U）的关系曲线。 解：根据阻挡层厚度公式可得 带入数据计算： 根据最大电场强度公式可得 带入数据计算： 根据最大电场强度公式可得 带入数据计算： 根据公式可得： 右图为同一种金属与不同半导体构成的两个肖特基势垒接触在300K下的C－V实验曲线，试根据曲线分别求出半导体的掺杂浓度以及相应的肖特基势垒高度。 解： 查表可得，对于Si电子亲和能是4.05eV，对于GaAs电子亲和能是4.07eV。 根据曲线在X轴上的截距可以得出接触电势差VD的值。 对于Si：VD=0.7V, 对于GaAs：VD=0.4V。 在两条曲线上分别取U=0V那一点带入公式就可以求出掺杂 浓度。 计算可得：对于Si：ND=4.4×1015cm-3, 对于GaAs：ND=2.4×1015cm-3。 在由这个公式可以求出En。 计算可得：对于Si：En=0.202eV 对于GaAs：En=0.137eV。 在由这个公式可以求出半导体的功函数。 计算可得：对于Si：Ws=4.252eV 对于GaAs：Ws=4.207eV。 在由这个公式可以求出金属的功函数。 计算可得：对于Si：WM=4.952eV 对于GaAs：WM=4.607eV。 最后带入公式就可以求出肖特基势垒的高度。 计算可得：对于Si：=0.902eV 对于GaAs：=0.537eV。 对金属与n型半导体的接触，若预先在半导体表面加入一重掺杂层，然后再淀积金属层，即形成M-n+-n结构，便可形成欧姆接触，试画出该结构的能带示意图并解释之。 解： 具有相同横截面积和0.5mA正