绪论和第一章：常用半导体器件精选.ppt

本章小结 1、PN结的形成 P型半导体的特点，N型半导体的特点，PN结的形成2、二极管 二极管的单向导电性，稳压二极管3、晶体三极管 工作原理，输出特性4、场效应管（MOSFET） 绝缘栅N沟道增强型场效应管的工作原理 * 　发射极是输入回路、输出回路的公共端 共发射极电路 输入回路 输出回路 测量晶体管特性的实验线路 IC EB mA ?A V UCE UBE RB IB EC V + + – – – – + + RC UCE ?1V iB(?A) uBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 工作压降： 硅管UBE?0.6~0.7V,锗管UBE?0.2~0.3V UCE=0V UCE =0.5V 死区电压，硅管0.5V，锗管0.2V。 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 3 6 iC(mA ) 1 2 3 4 uCE(V) 9 12 O 放大区 输出特性曲线通常分三个工作区： (1) 放大区 在放大区有 iC=? iB ，也称为线性区，具有恒流特性。 在放大区，发射结处于正向偏置、集电结处于反向偏置。 iC几乎仅仅决定于i B，而与uCE无关， 表现出i B对iC的控制作用。 饱和区 截止区 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 3 6 iC(mA ) 1 2 3 4 uCE(V) 9 12 O （2）截止区 IB = 0 以下区域为截止区，有 IC ? 0 。 在截止区发射结处于反向偏置，集电结处于反向偏置，晶体管工作于截止状态。 饱和区 截止区 （3）饱和区 在饱和区，发射结处于正向偏置，集电结也处于正偏。 iC 不仅与i B有关，而且明显随uCE增大而增大。 在饱和区有iC?iB 深度饱和时： 硅管UCES ? 0.3V， 锗管UCES ? 0.1V。 复习 1、 晶体三极管的电流放大原理 2、晶体三极管的输出特性曲线 四、温度对晶体管特性的影响 五、 晶体管的主要参数 1.电流放大系数 （2）共基极电流放大系数： i CE △ =20uA (mA) B =40uA I C u =0 (V) =80uA I △ B B B I B i I B I =100uA C B I =60uA i 一般取20~200之间 2.3 1.5 （1）共发射极电流放大系数： 2. 特征频率fT 三极管的?值不仅与工作电流有关，而且与工作频率有关。由于结电容的影响，当信号频率增加时，三极管的?将会下降。当?下降到1时所对应的频率称为特征频率，用fT表示。 3. 极限参数 Ic增加时，? 要下降。当?值下降到线性放大区?值的70％时，所对应的集电极电流称为集电极最大允许电流ICM。 （1）集电极最大允许电流ICM （2）集电极最大允许功率损耗PCM 集电极电流通过集电结时所产生的功耗， PC= ICUCE PCM （3） U（BR）CEO——基极开路时，集电极与发射极之间的反向击穿电压。 例:图中三极管各电极电位已标出，试判断三极管分别处于何种工作状态（饱和、放大、截止或已损坏），若处于放大状态或饱和状态，请判断是硅管还是锗管。 +6V +0.1V -0.2V (a) -3V -2V 0V (c) +1V -2V (b) +0.3V +4V +4V +4V (e) +5.3V +6V +5.5V (d) 1.5 场效应管 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 FET分类： 结型场效应管 绝缘栅型场效应管 按电路结构不同 Field Effect Transistor，简称FET。仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型管。除具有BJT管体积小、重量轻、寿命长等优点外，其输入阻抗高达107~ 1012 Ω，耗电省，噪音低，热稳定性好。主要有结型和绝缘栅型两种不同的结构。 结构示意图 在同一块N型半导体上制作两个高掺杂的P区，并将它们连接在一起，所引出的电极称为栅极g。N型半导体的两端分别引出两个电极，一个称为漏极d，一个 称为源极s。P区与N区交界面形成耗尽层，漏极与源极的非耗尽区域称为导电沟道。 导电沟道 1.5.1结型场效应管 JFETJunction Type Field Effect Transistor 1、结构和工作原理（N沟道） N沟道JFET的符号表示 箭头指的是PN结的方向，故从符号上可分出是哪种沟道的JFET JFET的工作