提高习题 -模拟集成电路.docVIP

模拟集成电路 1．电路如图1a所示，用镜像电流源(T1、T2)对射极跟随器进行偏置。设β1，VCC= –VEE=10V，VBE=0.6V。求电流Io的值。若ro(rce)=100kW。与图b电路比较，该电路有何优点？ (a) (b) 图1 2．电路如图2所示，设T1、T2的特性完全相同，且rce＞＞ Re2，re≈＜＜ R，求电流源的输出电阻。 图2 3．电路如图3所示，NMOS管的参数为：VT=1V，Kn = 50mA/V2，ln =0。PMOS管的参数为：VT =–1V，KP = 25mA/V2，l = 0,设全部管子均运行于饱和区,试求R、I3和I4的值。各管的W/L值见图示。 图3 4．图4是由P沟道MOSFET管T2，T3组成镜像电流源作为有源负载，N沟道MOSFET管T1构成共源放大电路。当rds1 = rds2 = 2MW，VT1=1V，导电系数K =100 mA/V2，IREF =100 mA，求Av。 图4 5．在图5所示的射极耦合差分式放大电路中，+VCC＝＋10V，－VEE＝－10V，Io＝1mA，ro＝25kΩ（电路中未画出），Rc1＝Rc2＝10kΩ，BJT的β＝200，VBE＝0.7V；（1）当vi1＝v