第7章 半导体存储器研讨.ppt

7.2 只读存储器（ROM） 四. 其它类型存储器简介 7.3 随机存储器（RAM） 7.4 存储器容量的扩展 　 （3）RAM的存储单元按工作原理分为： 静态存储单元：利用基本RS触发器存储信息。保存的信息不易丢失。 动态存储单元：利用MOS的栅极电容来存储信息。由于电容的容量很小，以及漏电流的存在，为了保持信息，必须定时给电容充电，通常称为刷新。 2. 静态读写存储器（SRAM）集成电路6264简介 采用CMOS工艺制成，存储容量为8K×8位，典型存取时间为100ns、电源电压＋5V、工作电流40mA、维持电压为2V，维持电流为2μA。 8K=213，有13条地址线A0~A12； 每字有８位，有８条数据线I/O0～I/O7； 图7-10 6264引脚图 四条控制线 　　表7-6 6264的工作方式表 3.　Intel2114A是1 K字×4位SRAM，它是双列直插18脚封装器件，采用5V供电，与TTL电平完全兼容。 4.　Intel 2116是16 K×1位动态存储器（DRAM），是典型的单管动态存储芯片。它是双列直插16脚封装器件，采用+12V和± 5V三组电源供电，其逻辑电平与TTL兼容。 　　存储器的容量：字数×位数 ⑴ 位扩展（即字长扩展