SOI SiGe HDTMOS器件及电路研究研究.docVIP

天津大学 硕士学位论文 SOI SiGe HDTMOS器件及电路研究 姓名：夏克军 申请学位级别：硕士 专业：微电子学与固体电子学 指导教师：李树荣  随着信息技术的不断进步，高速信息处理和移动通信成为时代的迫切要求。 微电子业顺应形势，正在加紧研发高速低功耗集成电路。其中一种思路是丌发与 传统的成熟硅??相兼容的技术来达到这个目的，这样不仅降低成本，亦缩短 研发时间。 而且互益。本文就是对综合这三种技术的应用于???韵碌腟? ?? ? ??? ?????作了完整的 理论研究。首先，分析了???墓ぷ髟?恚?樯芰薉??的静态、动态和功耗 响近可忽略。综合此二点，通过改造???Ｐ停?玫搅薙? ????疢?的普 ?????的准双 栅近似，从而给出了相应的?猇方程，其结果与模拟结果相一致。 ?????在电路中的优异性能，我们选择了两个典型的电 以上，逻辑传输延迟缩小了近?％。 本文利用???的模拟结果，优化了器件的关键工艺参数，改进了器件和 ?????单管，电路则正在研制中。 ?? 高：亚阈值好，其斜率接近理论极限值；小的短沟道效应：小的关态电流；速度 ?????将是下一代??集成电路的备选技术之一。本论 文的工作是进一步研究的基础。 ? ??? ??  ????。 ?? ??????????? ??? ????? ??