蝕刻最佳化分析-淡江大學機械與機電工程學系.docVIP

淡江大學機械與機電工程學系 專題研究 蝕刻最佳化分析 指導教授: 李宗翰 教授 專題生：陳明靖 中 華 民 國 一 百 年 一 月 第一章 緒論 1-1 前言 Wet etching是最普遍也是設備成本最低的蝕刻方式，其影響蝕刻速率的原因有幾點:蝕刻液濃度、蝕刻液溫度…等。定性而言，增加蝕刻溫度和攪拌都能使效率提高；但是濃度之影響則較不明確。舉例來說，以49% HF蝕刻SiO2，當然比BOE快得多；但是40%的KOH蝕刻Si的速率卻比20%的KOH慢！ 隨著積體電路中的元件尺寸越做越小，由於化學反應沒有方向性，因而濕式蝕刻是Isotropic的，此時，當蝕刻溶液做縱向蝕時，側向的蝕刻將同時發生，進而造成Undercut現象。非等向性蝕刻(anisotropic etching)，對於單晶矽，111方向比100或是110方向速率慢了兩個級數，因此在蝕刻後留下特定面。 1-2實驗目的 實驗是否能因為給予蝕刻液噴嘴不同的壓力，觀察其造成流量和平板壓力的關係。 第二章 2-1實驗設備-水箱 為了能可視化且能因為設計尺寸而任意改變的器材，我們使用了壓克力當作水箱，在藉由pump的帶動下讓水在幾個水箱內循環。由於水本身太過透明，也可以加一些顏料更方便於觀測流體情況。 2-2實驗設備-蝕刻液霧化噴嘴 我們是使用